zhuanli/58/202310708026.html by HTTrack Website Copier/3.x [XR&CO'2014], Mon, 24 Jul 2023 12:54:10 GMT --> 存储介质检测方法、装置、电子设备和存储介质与流程

存储介质检测方法、装置、电子设备和存储介质与流程

文档序号:34866924发布日期:2023-07-23 21:23阅读:8来源:国知局
1.本发明涉及数据处理
技术领域
:,尤其涉及一种存储介质检测方法、装置、电子设备和存储介质。
背景技术
::2.随着科技的迅速发展,人们对于存储介质的要求越来越高。而在高要求下,就需要对存储介质进行检测,尤其需要检测存储介质的寿命,以确保存储的存储数据完好无缺。3.目前,基于通过固定检测时间间隔确定的检测时刻,对待检测存储介质进行检测。然而,通过固定的检测时间间隔确定检测时刻,要么过度检测,要么检测不及时。而频繁获取待检测存储介质的检测参数会对存储介质的寿命产生影响,从而过度检测将导致不必要的存储介质磨损;而检测不及时将导致未能及时发现存储介质异常,进而导致存储数据丢失。4.综上,如何提高存储介质检测时刻的确定准确性,是目前亟需解决的问题。技术实现要素:5.本发明提供一种存储介质检测方法、装置、电子设备和存储介质,用以解决现有技术中检测时刻确定准确性低的缺陷,实现高准确性的存储介质检测。6.本发明提供一种存储介质检测方法,包括:在当前检测时刻,确定待检测存储介质集在不同已有检测时刻的至少两个已有整体检测参数,所述当前检测时刻为所述待检测存储介质集的第n次检测时刻,所述n大于或等于2,所述待检测存储介质集包括至少一个待检测存储介质,所述已有检测时刻包括所述当前检测时刻,任一所述已有整体检测参数是基于所述至少一个待检测存储介质的至少一个已有检测参数确定的;基于所述至少两个已有整体检测参数,预测所述待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数;基于所述第一预测检测参数与预设检测参数阈值的对比结果,确定目标检测时间间隔;基于上一检测时刻和所述目标检测时间间隔,确定下一实际检测时刻,以供基于所述下一实际检测时刻对所述待检测存储介质集进行检测,所述下一实际检测时刻包括所述待检测存储介质集的第n+1次检测时刻;其中,在所述当前检测时刻为所述下一实际检测时刻的情况下,将所述下一实际检测时刻确定为所述上一检测时刻。7.根据本发明提供的一种存储介质检测方法,所述基于所述第一预测检测参数与预设检测参数阈值的对比结果,确定目标检测时间间隔,包括:若所述第一预测检测参数小于所述预设检测参数阈值,将所述预设检测参数阈值对应的检测时间间隔确定为目标检测时间间隔;若所述第一预测检测参数大于或等于所述预设检测参数阈值,将下一预设检测参数阈值对应的检测时间间隔确定为目标检测时间间隔;其中,所述下一预设检测参数阈值为预设检测参数阈值集中与所述预设检测参数阈值最接近的检测参数阈值,且所述下一预设检测参数阈值为所述预设检测参数阈值集中大于所述预设检测参数阈值的检测参数阈值;所述预设检测参数阈值集包括至少两个预设的检测参数阈值,不同的检测参数阈值对应不同的检测时间间隔,所述检测参数阈值越大则所述检测参数阈值对应的检测时间间隔越小。8.根据本发明提供的一种存储介质检测方法,所述基于上一检测时刻和所述目标检测时间间隔,确定下一实际检测时刻,包括:基于上一检测时刻和所述目标检测时间间隔,确定第一目标检测时刻;若所述第一预测检测参数大于或等于所述预设检测参数阈值,确定检测参数时间变化曲线的所有检测参数中等于所述预设检测参数阈值的目标检测参数,以及所述检测参数时间变化曲线的所有检测时刻中所述目标检测参数对应的第二目标检测时刻,所述检测参数时间变化曲线是基于所述至少两个已有整体检测参数进行曲线拟合得到的;其中,所述下一实际检测时刻包括所述第一目标检测时刻,在所述第一预测检测参数大于或等于所述预设检测参数阈值的情况下,所述下一实际检测时刻还包括所述第二目标检测时刻;在所述当前检测时刻为所述下一实际检测时刻的情况下,将所述第一目标检测时刻确定为所述上一检测时刻。9.根据本发明提供的一种存储介质检测方法,所述待检测存储介质集包括至少两个待检测存储介质,所述基于上一检测时刻和所述目标检测时间间隔,确定下一实际检测时刻,之后还包括:在所述下一实际检测时刻,确定所述待检测存储介质集在所述下一实际检测时刻的预测检测方式为抽检方式,基于所述待检测存储介质集在所述下一实际检测时刻的抽检检测参数与所述待检测存储介质集在所述下一实际检测时刻的第二预测检测参数的对比结果,确定所述待检测存储介质集在所述下一实际检测时刻的实际检测方式,以供基于所述实际检测方式对所述待检测存储介质集进行检测;其中,所述实际检测方式包括抽检方式或全检方式,所述抽检检测参数是基于所述待检测存储介质集中至少一个被抽检的待检测存储介质的检测参数确定的,所述第二预测检测参数是基于所述至少两个已有整体检测参数预测得到的。10.根据本发明提供的一种存储介质检测方法,所述基于所述待检测存储介质集在所述下一实际检测时刻的抽检检测参数与所述待检测存储介质集在所述下一实际检测时刻的第二预测检测参数的对比结果,确定所述待检测存储介质集在所述下一实际检测时刻的实际检测方式,包括:若所述抽检检测参数小于或等于所述第二预测检测参数,将抽检方式确定为所述实际检测方式;若所述抽检检测参数大于所述第二预测检测参数,将全检方式确定为所述实际检测方式。11.根据本发明提供的一种存储介质检测方法,所述待检测存储介质为光盘,所述抽检检测参数包括随机误码率rser抽检参数和极值突发误码串长度总数besum抽检参数,所述第二预测检测参数包括rser预测参数和besum预测参数;所述若所述抽检检测参数小于或等于所述第二预测检测参数,将抽检方式确定为所述实际检测方式,包括:若所述rser抽检参数小于或等于所述rser预测参数,且所述besum抽检参数小于或等于所述besum预测参数,将抽检方式确定为所述实际检测方式;所述若所述抽检检测参数大于所述第二预测检测参数,将全检方式确定为所述实际检测方式,包括:若所述rser抽检参数大于所述rser预测参数,或所述besum抽检参数大于所述besum预测参数,将全检方式确定为所述实际检测方式。12.根据本发明提供的一种存储介质检测方法,所述预测检测方式是基于如下方式确定:若满足预设条件集中所有预设条件,确定所述预测检测方式为抽检方式;若未满足预设条件集中任一预设条件,确定所述预测检测方式为全检方式;其中,所述预设条件集包括以下至少一种预设条件:所述第一预测检测参数小于所述预设检测参数阈值;所述待检测存储介质集在目标时间段内的保存条件未改变;所述待检测存储介质集在目标时间段内未被使用过;所述目标时间段为上一实际检测时刻至所述下一实际检测时刻内的时间段,所述上一实际检测时刻为在所述下一实际检测时刻之前所有检测时刻中与所述下一实际检测时刻最接近的检测时刻。13.根据本发明提供的一种存储介质检测方法,所述基于所述第一预测检测参数与预设检测参数阈值的对比结果,确定目标检测时间间隔,之前还包括:基于所述待检测存储介质集在所述当前检测时刻的已有整体检测参数与预设检测参数阈值集中各检测参数阈值的对比结果,从所述预设检测参数阈值集中确定出目标检测参数阈值;将所述目标检测参数阈值确定为所述预设检测参数阈值;其中,所述预设检测参数阈值集包括至少两个预设的检测参数阈值。14.本发明还提供一种存储介质检测装置,包括:参数确定模块,用于在当前检测时刻,确定待检测存储介质集在不同已有检测时刻的至少两个已有整体检测参数,所述当前检测时刻为所述待检测存储介质集的第n次检测时刻,所述n大于或等于2,所述待检测存储介质集包括至少一个待检测存储介质,所述已有检测时刻包括所述当前检测时刻,任一所述已有整体检测参数是基于所述至少一个待检测存储介质的至少一个已有检测参数确定的;参数预测模块,用于基于所述至少两个已有整体检测参数,预测所述待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数;间隔确定模块,用于基于所述第一预测检测参数与预设检测参数阈值的对比结果,确定目标检测时间间隔;时刻确定模块,用于基于上一检测时刻和所述目标检测时间间隔,确定下一实际检测时刻,以供基于所述下一实际检测时刻对所述待检测存储介质集进行检测,所述下一实际检测时刻包括所述待检测存储介质集的第n+1次检测时刻;其中,在所述当前检测时刻为所述下一实际检测时刻的情况下,将所述下一实际检测时刻确定为所述上一检测时刻。15.本发明还提供一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述存储介质检测方法。16.本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述存储介质检测方法。17.本发明提供的存储介质检测方法、装置、电子设备和存储介质,在当前检测时刻,确定待检测存储介质集在不同已有检测时刻的至少两个已有整体检测参数,从而基于该至少两个已有整体检测参数,提前预测待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数,进而基于该提前预测的第一预测检测参数与预设检测参数阈值的对比结果,准确确定目标检测时间间隔,以供基于上一检测时刻和该准确的目标检测时间间隔,准确确定下一实际检测时刻,以供基于该准确的下一实际检测时刻对待检测存储介质集进行检测,提高存储介质检测时刻的确定准确性,并实现高准确性的存储介质检测。同时,提前预测待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数,并将该提前预测的第一预测检测参数与预设检测参数阈值进行对比,以在预设检测参数超出预设检测参数阈值对应的预警范围时,可以及时缩短检测时间间隔,即增加检测次数,从而提高存储介质的检测及时性,进而提高存储介质的检测准确性;而在预设检测参数未超出预设检测参数阈值对应的预警范围时,可以维持原有的检测时间间隔,从而在存储介质质量较为优良的阶段,减少检测次数,防止过度检测,进而提高存储介质的检测准确性。附图说明18.为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。19.图1为本发明提供的存储介质检测方法的流程示意图之一;图2为本发明提供的存储介质检测方法的流程示意图之二;图3为本发明提供的检测参数时间变化曲线的示意图之一;图4为本发明提供的检测参数时间变化曲线的示意图之二;图5为本发明提供的存储介质检测装置的结构示意图;图6为本发明提供的电子设备的结构示意图。具体实施方式20.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。21.随着科技的迅速发展,人们对于存储介质的要求越来越高。而在高要求下,就需要对存储介质进行检测,尤其需要检测存储介质的寿命,以确保存储的存储数据完好无缺。尤其对于存储电子档案数据的存储介质而言,电子档案数据需要长期保存,但随着时间推移,存储介质会损坏,因此需要对存储介质进行检测,以检测存储的电子档案数据是否完好无缺。22.目前,基于通过固定检测时间间隔确定的检测时刻,对待检测存储介质进行检测。然而,通过固定的检测时间间隔确定检测时刻,要么过度检测,要么检测不及时。而频繁获取待检测存储介质的检测参数会对存储介质的寿命产生影响,例如大多检测参数的获取均需要频繁读取存储数据,而存储介质的寿命受读写次数的影响,从而过度检测将导致不必要的存储介质磨损;而检测不及时将导致未能及时发现存储介质异常,进而导致存储数据丢失。23.综上,如何提高存储介质检测时刻的确定准确性,是目前亟需解决的问题。24.针对上述问题,本发明提出以下各实施例。图1为本发明提供的存储介质检测方法的流程示意图之一,如图1所示,该存储介质检测方法包括:步骤110,在当前检测时刻,确定待检测存储介质集在不同已有检测时刻的至少两个已有整体检测参数。25.其中,所述当前检测时刻为所述待检测存储介质集的第n次检测时刻,所述n大于或等于2,所述待检测存储介质集包括至少一个待检测存储介质,所述已有检测时刻包括所述当前检测时刻,任一所述已有整体检测参数是基于所述至少一个待检测存储介质的至少一个已有检测参数确定的。26.在本发明实施例中,该存储介质检测方法可以为存储介质寿命检测方法,也可以为存储数据完整性检测方法等等。27.需要说明的是,在对待检测存储介质集进行检测得到当前检测时刻对应的整体检测参数的同时,确定待检测存储介质集在不同已有检测时刻的至少两个已有整体检测参数,以确定下一实际检测时刻。可以理解的是,当前检测时刻对应的整体检测参数为已有整体检测参数。28.此外,还需要说明的是,若待检测存储介质集无对应的已有检测时刻,则首次检测时刻可以随机确定,也可以将刻录数据的时刻确定为首次检测时刻;若待检测存储介质集对应的已有检测时刻仅仅包括1个,则可以按照现有方式确定第二次检测时刻,或者,基于待检测存储介质集在首次检测时刻的检测参数与预设检测参数阈值的对比结果,确定第二次检测时刻。29.此处,待检测存储介质集包括的待检测存储介质为需要进行检测的存储介质,进一步地,待检测存储介质为需要进行寿命检测(寿命评估或寿命预测)的存储介质。该待检测存储介质集中各待检测存储介质可以为同一批次的存储介质。该待检测存储介质可以包括但不限于:光盘、磁盘、磁带、硬盘等等,该光盘可以为蓝光光盘、档案级蓝光光盘等等;对于电子档案,可以采用档案级蓝光光盘进行存储。30.此处,已有检测时刻为在当前检测时刻和当前检测时刻之前,对待检测存储介质集进行过检测的时刻。一个已有检测时刻对应一个已有整体检测参数。31.需要说明的是,若待检测存储介质集对应的已有检测时刻的数量为2,则直接获取该两个已有检测时刻对应的两个已有整体检测参数;若待检测存储介质集对应的已有检测时刻的数量大于2,则从所有已有检测时刻中确定出至少两个已有检测时刻,并获取该至少两个已有检测时刻对应的至少两个已有整体检测参数。需要说明的是,该至少两个已有整体检测参数可以包括当前检测时刻对应的整体检测参数,也可以不包括当前检测时刻对应的整体检测参数。32.此处,已有整体检测参数是基于待检测存储介质集中所有待检测存储介质在一个已有检测时刻的检测参数确定的,或已有整体检测参数是基于待检测存储介质集中在一个已有检测时刻抽检的若干待检测存储介质的检测参数确定的。换言之,待检测存储介质集的待检测存储介质的数量可以大于或等于至少一个已有检测参数的数量。33.该已有整体检测参数可以基于该至少一个已有检测参数的均值确定,可以直接将该均值确定为已有整体检测参数,也可以对该均值做进一步的处理得到已有整体检测参数;其也可以基于该至少一个已有检测参数的加权均值确定,即不同待检测存储介质对应的已有检测参数对应的权重不同,可以直接将该加权均值确定为已有整体检测参数,也可以对该加权均值做进一步的处理得到已有整体检测参数。当然,还可以通过其他方式,基于该至少一个已有检测参数确定已有整体检测参数,本发明实施例对此不做具体限定。34.此处,已有检测参数为一个待检测存储介质在已有检测时刻的检测参数。35.示例性的,若待检测存储介质为光盘,则本发明所提到的检测参数可以包括但不限于以下至少一种:rser(randomsymbolerrorrate,随机误码率)参数、besum(sumofthelengthsofmaximumbursterrors,极值突发误码串长度总数)参数等等。进一步地,该检测参数还可以包括ue参数(uncorrectable,不可纠正错误),该ue参数为在纠错系统中无法纠正的字节。36.其中,rser参数为在10000个长程纠错码块中,所测得总误码数扣除长度大于或等于40个字节的突发误码串中的误码数,与总字节数扣除长度大于或等于40个字节的突发误码串中的误码数之后的比值;besum参数为一个记录单元块中长度大于或等于40个字节的突发误码串长度之和。该突发误码串(bursterror)为任意两个误码字节之间正确字节数小于3个的一串字节序列。该误码是指一个字节中被错误检测电路或纠错电路侦测到有一个或一个以上的位有错误。该突发误码串长度是指在一个突发误码串中从第一个误码到最后一个误码之间总的字节数。37.步骤120,基于所述至少两个已有整体检测参数,预测所述待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数。38.此处,下一检测时刻为待检测存储介质集在当前检测时刻之后与当前检测时刻最接近的检测时刻;该下一检测时刻为预测的检测时刻,并非实际检测时刻。39.该下一检测时刻的确定方式可以包括但不限于以下两种方式。40.第一种方式,基于待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数与预设检测参数阈值集中各检测参数阈值的对比结果,确定检测时间间隔;基于该上一检测时刻和该检测时间间隔,确定下一检测时刻。更为具体地,基于该上一检测时刻和该检测时间间隔的和值,确定下一检测时刻。其中,上一检测时刻为在下一检测时刻之前所有第一检测时刻中与下一检测时刻最接近的检测时刻,该第一检测时刻为基于检测时间间隔确定的检测时刻。41.示例性的,预设检测参数阈值集包括第一检测参数阈值、第二检测参数阈值、第三检测参数阈值;第一检测参数阈值小于第二检测参数阈值,第二检测参数阈值小于第三检测参数阈值;待检测存储介质的检测参数越大,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而增大。基于此,若待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数小于第一检测参数阈值,确定检测时间间隔为第一时间间隔;若待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数大于或等于第一检测参数阈值,且该已有整体检测参数小于第二检测参数阈值,确定检测时间间隔为第二时间间隔;若待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数大于或等于第二检测参数阈值,且该已有整体检测参数小于第三检测参数阈值,确定检测时间间隔为第三时间间隔;若待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数大于第三检测参数阈值,确定检测时间间隔为第四时间间隔。其中,第一时间间隔大于第二时间间隔,第二时间间隔大于第三时间间隔,第三时间间隔大于第四时间间隔。进一步地,第四时间间隔可以为0,即待检测存储介质已损坏,无需再检测。42.第二种方式,基于待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数与固定的检测时间间隔,确定下一检测时刻。更为具体地,基于该上一检测时刻和该检测时间间隔的和值,确定下一检测时刻。其中,上一检测时刻为在下一检测时刻之前所有第一检测时刻中与下一检测时刻最接近的检测时刻,该第一检测时刻为基于检测时间间隔确定的检测时刻。43.在一些实施例中,基于该至少两个已有整体检测参数,拟合得到检测参数时间变化曲线;基于该检测参数时间变化曲线,预测待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数,即从检测参数时间变化曲线中确定出下一检测时刻对应的第一预测检测参数。44.其中,检测参数时间变化曲线为以时间为横轴,检测参数为纵轴的变化曲线。拟合方式可以包括但不限于:多项式拟合、数学插值方法等等。45.在一实施例中,若该至少两个已有整体检测参数的数量为2,则采用线性方式,拟合得到检测参数时间变化曲线。例如,基于该至少两个已有整体检测参数确定上升率,进而基于该上升率拟合得到检测参数时间变化曲线。46.在另一实施例中,若该至少两个已有整体检测参数的数量大于2,则采用曲线拟合方式,拟合得到检测参数时间变化曲线。47.需要说明的是,检测参数时间变化曲线是不断更新的,即在每次确定下一实际检测时刻的过程中,均基于新的已有整体检测参数重新绘制得到。可以理解的是,尽可能地基于所有已有整体检测参数进行拟合,可以提高检测参数时间变化曲线的准确性,进而提高第一预测检测参数的预测准确性,最终提高检测时刻的确定准确性。48.在另一些实施例中,将该至少两个已有整体检测参数输入至检测参数预测模型,得到检测参数预测模型输出的待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数。49.其中,检测参数预测模型是基于至少两个样本已有整体检测参数和该至少两个样本已有整体检测参数对应的检测参数标签训练得到的。50.步骤130,基于所述第一预测检测参数与预设检测参数阈值的对比结果,确定目标检测时间间隔。51.此处,预设检测参数阈值为预设的检测参数阈值,该预设检测参数阈值可以根据实际情况进行设定,本发明实施例对此不做具体限定。52.在一实施例中,若该第一预测检测参数小于该预设检测参数阈值,将预设检测参数阈值对应的检测时间间隔确定为目标检测时间间隔;若该第一预测检测参数大于或等于该预设检测参数阈值,将下一预设检测参数阈值对应的检测时间间隔确定为目标检测时间间隔。其中,下一预设检测参数阈值为预设检测参数阈值集中与预设检测参数阈值最接近的检测参数阈值,且下一预设检测参数阈值为预设检测参数阈值集中大于预设检测参数阈值的检测参数阈值。在该实施例中,待检测存储介质的检测参数越大,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而增大。该实施例的具体执行过程可以参照下述实施例,此处不再一一赘述。53.在另一实施例中,若该第一预测检测参数大于该预设检测参数阈值,将预设检测参数阈值对应的检测时间间隔确定为目标检测时间间隔;若该第一预测检测参数小于或等于该预设检测参数阈值,将下一预设检测参数阈值对应的检测时间间隔确定为目标检测时间间隔。其中,下一预设检测参数阈值为预设检测参数阈值集中与预设检测参数阈值最接近的检测参数阈值,且下一预设检测参数阈值为预设检测参数阈值集中小于预设检测参数阈值的检测参数阈值;该预设检测参数阈值集包括至少两个预设的检测参数阈值,不同的检测参数阈值对应不同的检测时间间隔,该检测参数阈值越小则该检测参数阈值对应的检测时间间隔越小。在该实施例中,待检测存储介质的检测参数越小,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而减小。进一步地,检测参数阈值用于表征存储介质的寿命长度,检测参数阈值越小则其寿命越短,检测参数阈值越大则其寿命越长。54.在另一实施例中,若该第一预测检测参数小于该预设检测参数阈值,将第一检测时间间隔确定为目标检测时间间隔;若该第一预测检测参数大于或等于该预设检测参数阈值,将第二检测时间间隔确定为目标检测时间间隔。其中,第一检测时间间隔大于第二检测时间间隔。在该实施例中,待检测存储介质的检测参数越大,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而增大。进一步地,检测参数用于表征存储介质的寿命长度,检测参数越大则其寿命越短,检测参数越小则其寿命越长。55.在另一实施例中,若该第一预测检测参数大于该预设检测参数阈值,将第一检测时间间隔确定为目标检测时间间隔;若该第一预测检测参数小于或等于该预设检测参数阈值,将第二检测时间间隔确定为目标检测时间间隔。其中,第一检测时间间隔大于第二检测时间间隔。在该实施例中,待检测存储介质的检测参数越小,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而减小。进一步地,检测参数用于表征存储介质的寿命长度,检测参数越小则其寿命越短,检测参数越大则其寿命越长。56.可以理解的是,提前预测待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数,并将该提前预测的第一预测检测参数与预设检测参数阈值进行对比,以在预设检测参数超出预设检测参数阈值对应的预警范围时,可以及时缩短检测时间间隔,即增加检测次数,从而提高存储介质的检测及时性,防止未到下一检测时刻待检测存储介质就提前损坏,进而防止存储数据丢失;而在预设检测参数未超出预设检测参数阈值对应的预警范围时,可以维持原有的检测时间间隔,从而在存储介质质量较为优良的阶段,可以减少检测次数,防止过度检测,避免频繁拿取存储介质,并避免频繁获取待检测存储介质的检测参数,从而降低对存储介质的寿命影响,最终避免不必要的存储介质磨损。57.步骤140,基于上一检测时刻和所述目标检测时间间隔,确定下一实际检测时刻,以供基于所述下一实际检测时刻对所述待检测存储介质集进行检测。58.其中,所述下一实际检测时刻包括所述待检测存储介质集的第n+1次检测时刻;在所述当前检测时刻为所述下一实际检测时刻的情况下,将所述下一实际检测时刻确定为所述上一检测时刻。换言之,所述上一检测时刻为在所述下一检测时刻之前所有检测时刻中与所述下一检测时刻最接近的检测时刻。进一步地,上一检测时刻为在下一检测时刻之前所有第一检测时刻中与下一检测时刻最接近的检测时刻,该第一检测时刻为基于检测时间间隔确定的检测时刻,即第一检测时刻不是新增检测次数所对应的检测时刻,而是按照检测时间间隔确定的。该上一检测时刻为实际检测时刻。59.此处,下一实际检测时刻为待检测存储介质集在当前检测时刻之后的检测时刻。该下一实际检测时刻为实际检测时刻。60.具体地,基于上一检测时刻和该目标检测时间间隔的和值,确定下一实际检测时刻。例如,上一检测时刻为2015年,目标检测时间间隔为4年,则下一实际检测时刻为2019年。61.可以理解的是,在下一实际检测时刻,对待检测存储介质集进行检测。其检测方式包括全检方式或抽检方式。62.在一实施例中,若待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数大于最高检测参数阈值,停止对待检测存储介质集进行检测。例如,待检测存储介质为光盘,若待检测存储介质集在当前检测时刻的rser参数大于或等于1.0e-03,或待检测存储介质集在当前检测时刻的besum参数大于或等于1800,或待检测存储介质集在当前检测时刻的ue参数大于或等于1,停止对待检测存储介质集进行检测。也就是说,若待检测存储介质集在当前检测时刻的rser参数大于或等于1.0e-03,或待检测存储介质集在当前检测时刻的besum参数大于或等于1800,或待检测存储介质集在当前检测时刻的ue参数大于或等于1,则判定光盘寿命到期,无需再进行检测。在该实施例中,待检测存储介质的检测参数越大,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而增大。63.在另一实施例中,若待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数小于最低检测参数阈值,停止对待检测存储介质集进行检测。在该实施例中,待检测存储介质的检测参数越小,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而减小。64.本发明实施例提供的存储介质检测方法,在当前检测时刻,确定待检测存储介质集在不同已有检测时刻的至少两个已有整体检测参数,从而基于该至少两个已有整体检测参数,提前预测待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数,进而基于该提前预测的第一预测检测参数与预设检测参数阈值的对比结果,准确确定目标检测时间间隔,以供基于上一检测时刻和该准确的目标检测时间间隔,准确确定下一实际检测时刻,以供基于该准确的下一实际检测时刻对待检测存储介质集进行检测,提高存储介质检测时刻的确定准确性,并实现高准确性的存储介质检测。同时,提前预测待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数,并将该提前预测的第一预测检测参数与预设检测参数阈值进行对比,以在预设检测参数超出预设检测参数阈值对应的预警范围时,可以及时缩短检测时间间隔,即增加检测次数,从而提高存储介质的检测及时性,进而提高存储介质的检测准确性;而在预设检测参数未超出预设检测参数阈值对应的预警范围时,可以维持原有的检测时间间隔,从而在存储介质质量较为优良的阶段,减少检测次数,防止过度检测,进而提高存储介质的检测准确性。65.基于上述实施例,该方法中,上述步骤130包括:若所述第一预测检测参数小于所述预设检测参数阈值,将所述预设检测参数阈值对应的检测时间间隔确定为目标检测时间间隔;若所述第一预测检测参数大于或等于所述预设检测参数阈值,将下一预设检测参数阈值对应的检测时间间隔确定为目标检测时间间隔。66.其中,所述下一预设检测参数阈值为预设检测参数阈值集中与所述预设检测参数阈值最接近的检测参数阈值,且所述下一预设检测参数阈值为所述预设检测参数阈值集中大于所述预设检测参数阈值的检测参数阈值;所述预设检测参数阈值集包括至少两个预设的检测参数阈值,不同的检测参数阈值对应不同的检测时间间隔,所述检测参数阈值越大则所述检测参数阈值对应的检测时间间隔越小。67.示例性的,预设检测参数阈值集包括第一检测参数阈值、第二检测参数阈值、第三检测参数阈值;第一检测参数阈值小于第二检测参数阈值,第二检测参数阈值小于第三检测参数阈值,即第一检测参数阈值的下一预设检测参数阈值为第二检测参数阈值,第二检测参数阈值的下一预设检测参数阈值为第三检测参数阈值。基于此,将第一检测参数阈值对应的检测时间间隔确定为第一时间间隔;将第二检测参数阈值对应的检测时间间隔确定为第二时间间隔;将第三检测参数阈值对应的检测时间间隔确定为第三时间间隔。其中,第一时间间隔大于第二时间间隔,第二时间间隔大于第三时间间隔。进一步地,第一时间间隔为4年,即每4年检测一次;第二时间间隔为2年,即每2年检测一次;第三时间间隔为1年,即每年检测一次。68.可以理解的是,预设检测参数阈值为预设检测参数阈值集的其中一个检测参数阈值。该预设检测参数阈值的确定方式参照下述实施例。69.在本发明实施例中,待检测存储介质的检测参数越大,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而增大。进一步地,该检测参数用于表征存储介质的寿命长度,检测参数越大则其寿命越短,检测参数越小则其寿命越长。70.本发明实施例提供的存储介质检测方法,通过上述方式,为目标检测时间间隔的确定提供支持,进而基于上一检测时刻和该准确的目标检测时间间隔,准确确定下一实际检测时刻,提高存储介质检测时刻的确定准确性,并实现高准确性的存储介质检测。同时,不同的检测参数阈值对应不同的检测时间间隔,检测参数阈值越大则检测参数阈值对应的检测时间间隔越小,以在预设检测参数大于或等于预设检测参数阈值时,可以及时缩短检测时间间隔,即增加检测次数,从而提高存储介质的检测及时性,进而提高存储介质的检测准确性;而在预设检测参数小于预设检测参数阈值时,可以维持原有的检测时间间隔,从而在存储介质质量较为优良的阶段,减少检测次数,防止过度检测,进而提高存储介质的检测准确性。71.基于上述任一实施例,图2为本发明提供的存储介质检测方法的流程示意图之二,如图2所示,上述步骤140包括:步骤141,基于上一检测时刻和所述目标检测时间间隔,确定第一目标检测时刻。72.其中,所述上一检测时刻为在所述下一检测时刻之前所有第一检测时刻中与所述下一检测时刻最接近的检测时刻,所述第一检测时刻为基于检测时间间隔确定的检测时刻。73.此处,第一目标检测时刻为待检测存储介质集在当前检测时刻之后的检测时刻。该第一目标检测时刻为实际检测时刻。该第一目标检测时刻可以作为下次的下一实际检测时刻确定过程中的上一检测时刻。74.具体地,基于上一检测时刻和该目标检测时间间隔的和值,确定第一目标检测时刻。例如,上一检测时刻为2015年,目标检测时间间隔为4年,则第一目标检测时刻为2019年。75.步骤142,若所述第一预测检测参数大于或等于所述预设检测参数阈值,确定检测参数时间变化曲线的所有检测参数中等于所述预设检测参数阈值的目标检测参数,以及所述检测参数时间变化曲线的所有检测时刻中所述目标检测参数对应的第二目标检测时刻。76.其中,所述检测参数时间变化曲线是基于所述至少两个已有整体检测参数进行曲线拟合得到的;所述下一实际检测时刻包括所述第一目标检测时刻,在所述第一预测检测参数大于或等于所述预设检测参数阈值的情况下,所述下一实际检测时刻还包括所述第二目标检测时刻;在所述当前检测时刻为所述下一实际检测时刻的情况下,将所述第一目标检测时刻确定为所述上一检测时刻。77.此处,检测参数时间变化曲线的拟合方式参考上述实施例。78.此处,第二目标检测时刻为待检测存储介质集在当前检测时刻之后的检测时刻。该第二目标检测时刻为实际检测时刻。该第二目标检测时刻不可以作为下次的下一实际检测时刻确定过程中的上一检测时刻。换言之,在第一预测检测参数大于或等于预设检测参数阈值的情况下,增加一次检测时刻,即增加一次检测次数。此外,第一检测时刻不是新增检测次数所对应的检测时刻,而是按照上述检测时间间隔确定的,即第一检测时刻为第一目标检测时刻,第一检测时刻不为第二目标检测时刻。79.为便于理解,参照图3,图3中存在检测参数时间变化曲线(该曲线包括实线和虚线)和预设检测参数阈值对应的虚线,该检测参数时间变化曲线包括首次检测参数、第二次检测参数、第三次检测参数、第四次检测参数、第一预测检测参数,从而确定检测参数时间变化曲线与预设检测参数阈值对应的虚线的交点,进而基于该交点确定目标检测参数,最终基于该目标检测参数确定第二目标检测时刻;换言之,在第一预测检测参数越过预设检测参数阈值的临界点位置增加一次检测时刻,即增加一次检测次数。80.需要说明的是,下一实际检测时刻包括待检测存储介质集的第n+1次检测时刻和第n+2次检测时刻。81.本发明实施例提供的存储介质检测方法,若第一预测检测参数大于或等于预设检测参数阈值,确定检测参数时间变化曲线的所有检测参数中等于预设检测参数阈值的目标检测参数,以及检测参数时间变化曲线的所有检测时刻中目标检测参数对应的第二目标检测时刻,从而在预设检测参数大于或等于预设检测参数阈值时,可以额外增加一次检测时刻,即增加一次检测次数,从而提高存储介质的检测及时性,进而提高存储介质的检测准确性,即加密检测次数,防止未到下一检测时刻待检测存储介质就提前损坏,进而防止存储数据丢失。82.基于上述任一实施例,该方法中,所述待检测存储介质集包括至少两个待检测存储介质,在上述步骤140之后,该方法还包括:步骤150,在所述下一实际检测时刻,确定所述待检测存储介质集在所述下一实际检测时刻的预测检测方式为抽检方式,基于所述待检测存储介质集在所述下一实际检测时刻的抽检检测参数与所述待检测存储介质集在所述下一实际检测时刻的第二预测检测参数的对比结果,确定所述待检测存储介质集在所述下一实际检测时刻的实际检测方式,以供基于所述实际检测方式对所述待检测存储介质集进行检测;其中,所述实际检测方式包括抽检方式或全检方式,所述抽检检测参数是基于所述待检测存储介质集中至少一个被抽检的待检测存储介质的检测参数确定的,所述第二预测检测参数是基于所述至少两个已有整体检测参数预测得到的。83.在一实施例中,待检测存储介质集中各待检测存储介质可以为同一批存储介质,该同一批存储介质为在相同条件下刻录产生的一批存储介质,该相同条件可以包括但不限于以下至少一种:相同软硬件平台、相同刻录倍数、相同工作环境等等。84.此处,抽检方式为对待检测存储介质集进行抽样检测。本发明实施例对具体的抽检方式不做限定,例如,给待检测存储介质集中各待检测存储介质编号1-n,然后确定抽样间隔,进而基于抽样间隔对待检测存储介质集进行抽样检测。全检方式为对待检测存储介质集中所有待检测存储介质均进行检测。85.此处,抽检检测参数是基于待检测存储介质集中在下一实际检测时刻的所有被抽检的待检测存储介质的检测参数确定的,或抽检检测参数是基于待检测存储介质集中在下一实际检测时刻的所有被抽检的待检测存储介质中部分存储介质的检测参数确定的。86.该抽检检测参数可以基于该至少一个被抽检的待检测存储介质的检测参数的均值确定,可以直接将该均值确定为抽检检测参数,也可以对该均值做进一步的处理得到抽检检测参数;其也可以基于该至少一个被抽检的待检测存储介质的检测参数的加权均值确定,即不同待检测存储介质对应的抽检检测参数对应的权重不同,可以直接将该加权均值确定为抽检检测参数,也可以对该加权均值做进一步的处理得到抽检检测参数。当然,还可以通过其他方式,基于该至少一个被抽检的待检测存储介质的检测参数确定抽检检测参数,本发明实施例对此不做具体限定。87.在一些实施例中,基于该至少两个已有整体检测参数,拟合得到检测参数时间变化曲线;基于该检测参数时间变化曲线,预测待检测存储介质集在下一实际检测时刻的第二预测检测参数,即从检测参数时间变化曲线中确定出下一实际检测时刻对应的第二预测检测参数。88.在另一些实施例中,将该至少两个已有整体检测参数输入至检测参数预测模型,得到检测参数预测模型输出的待检测存储介质集在下一实际检测时刻的第二预测检测参数。89.在一实施例中,若该抽检检测参数小于或等于第二预测检测参数,将抽检方式确定为实际检测方式;若该抽检检测参数大于第二预测检测参数,将全检方式确定为实际检测方式。在该实施例中,待检测存储介质的检测参数越大,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而增大。也就是说,若该抽检检测参数小于或等于第二预测检测参数,则认为符合预测,无需进行全检;若该抽检检测参数大于第二预测检测参数,则认为不符合预测,需要进行全检。该实施例的具体执行过程可以参照下述实施例,此处不再一一赘述。90.在另一实施例中,若该抽检检测参数大于或等于第二预测检测参数,将抽检方式确定为实际检测方式;若该抽检检测参数小于第二预测检测参数,将全检方式确定为实际检测方式。在该实施例中,待检测存储介质的检测参数越小,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而减小。也就是说,若该抽检检测参数大于或等于第二预测检测参数,则认为符合预测,无需进行全检;若该抽检检测参数小于第二预测检测参数,则认为不符合预测,需要进行全检。91.此外,若下一实际检测时刻包括第一目标检测时刻和第二目标检测时刻,则基于待检测存储介质集在第一目标检测时刻的抽检检测参数与待检测存储介质集在第一目标检测时刻的第二预测检测参数的对比结果,确定待检测存储介质集在第一目标检测时刻的实际检测方式,以及基于待检测存储介质集在第二目标检测时刻的抽检检测参数与待检测存储介质集在第二目标检测时刻的第二预测检测参数的对比结果,确定待检测存储介质集在第二目标检测时刻的实际检测方式。92.可以理解的是,在下一实际检测时刻,基于该实际检测方式对待检测存储介质集进行检测。93.进一步地,确定待检测存储介质集在下一实际检测时刻的预测检测方式为全检方式,基于全检方式对待检测存储介质集进行检测。94.本发明实施例提供的存储介质检测方法,通过上述方式,基于抽检检测参数与第二预测检测参数的对比结果,若确定抽检检测参数符合预测,则确定实际检测方式为抽检方式,从而减少全量检测的次数,相比在每一检测时刻均全检而言,本发明实施例可以防止过度检测,进而提高存储介质的检测准确性,避免频繁拿取存储介质,并避免频繁获取待检测存储介质的检测参数,从而降低对存储介质的寿命影响,最终避免不必要的存储介质磨损。95.基于上述任一实施例,该方法中,上述步骤150包括:若所述抽检检测参数小于或等于所述第二预测检测参数,将抽检方式确定为所述实际检测方式;若所述抽检检测参数大于所述第二预测检测参数,将全检方式确定为所述实际检测方式。96.在本发明实施例中,待检测存储介质的检测参数越大,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而增大。进一步地,该检测参数用于表征存储介质的寿命长度,检测参数越大则其寿命越短,检测参数越小则其寿命越长。97.示例性的,在待检测存储介质为光盘,抽检检测参数包括rser抽检参数,第二预测检测参数包括rser预测参数的情况下,若该rser抽检参数小于或等于该rser预测参数,将抽检方式确定为实际检测方式;若该rser抽检参数大于该rser预测参数,将全检方式确定为实际检测方式。98.示例性的,在待检测存储介质为光盘,抽检检测参数包括besum抽检参数,第二预测检测参数包括besum预测参数的情况下,若该besum抽检参数小于或等于该besum预测sum参数二者均需符合预测才能进行抽检,二者中任一参数不符合预测则不可以抽检替代全检,进而提高存储介质的检测准确性。106.基于上述任一实施例,该方法中,所述预测检测方式是基于如下方式确定:若满足预设条件集中所有预设条件,确定所述预测检测方式为抽检方式;若未满足预设条件集中任一预设条件,确定所述预测检测方式为全检方式。107.其中,所述预设条件集包括以下至少一种预设条件:所述第一预测检测参数小于所述预设检测参数阈值;所述待检测存储介质集在目标时间段内的保存条件未改变;所述待检测存储介质集在目标时间段内未被使用过。108.其中,所述目标时间段为上一实际检测时刻至所述下一实际检测时刻内的时间段,所述上一实际检测时刻为在所述下一实际检测时刻之前所有检测时刻中与所述下一实际检测时刻最接近的检测时刻。109.考虑到第一预测检测参数大于或等于预设检测参数阈值时,待检测存储介质的寿命受到比较大的影响,因此,不可以抽检替代全检,进而提高存储介质的检测准确性;相反则可以抽检。110.考虑到存储介质的寿命受其保存条件的影响,因此,在待检测存储介质集在目标时间段内的保存条件未改变时,可以抽检;而在待检测存储介质集在目标时间段内的保存条件改变时,不可以抽检替代全检,进而提高存储介质的检测准确性。111.考虑到存储介质的寿命受频繁读取存储数据或刻录数据或拿取存储介质等等的影响,因此,在待检测存储介质集在目标时间段内未被使用过时,可以抽检;而在待检测存储介质集在目标时间段内被使用过时,不可以抽检替代全检,进而提高存储介质的检测准确性。112.示例性的,如果第一预测检测参数小于预设检测参数阈值,即预测值低于临界线,且存储介质保存条件未发生任何变化,且中途未使用过,则可抽检该待检测存储介质集。113.需要说明的是,若下一实际检测时刻包括第一目标检测时刻和第二目标检测时刻,则上一实际检测时刻为在第一目标检测时刻之前所有检测时刻中与第一目标检测时刻最接近的检测时刻;或上一实际检测时刻为在第二目标检测时刻之前所有检测时刻中与第二目标检测时刻最接近的检测时刻。114.本发明实施例提供的存储介质检测方法,通过上述方式,为预测检测方式的确定提供支持,若确定预测检测方式为抽检方式,可以减少全量检测的次数,相比在未先预测实际直接全检而言,本发明实施例可以防止过度检测,进而提高存储介质的检测准确性,避免频繁拿取存储介质,并避免频繁获取待检测存储介质的检测参数,从而降低对存储介质的寿命影响,最终避免不必要的存储介质磨损。115.基于上述任一实施例,在上述步骤130之前,该方法还包括:基于所述待检测存储介质集在所述当前检测时刻的已有整体检测参数与预设检测参数阈值集中各检测参数阈值的对比结果,从所述预设检测参数阈值集中确定出目标检测参数阈值;将所述目标检测参数阈值确定为所述预设检测参数阈值;其中,所述预设检测参数阈值集包括至少两个预设的检测参数阈值。116.在一实施例中,目标检测参数阈值为该预设检测参数阈值集中与待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数最接近的检测参数阈值,且目标检测参数阈值为预设检测参数阈值集中大于待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数的检测参数阈值。在该实施例中,待检测存储介质的检测参数越大,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而增大。117.示例性的,预设检测参数阈值集包括第一检测参数阈值、第二检测参数阈值、第三检测参数阈值;第一检测参数阈值小于第二检测参数阈值,第二检测参数阈值小于第三检测参数阈值。基于此,若待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数小于第一检测参数阈值,确定目标检测参数阈值为第一检测参数阈值;若待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数大于或等于第一检测参数阈值,且该已有整体检测参数小于第二检测参数阈值,确定目标检测参数阈值为第二检测参数阈值;若待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数大于或等于第二检测参数阈值,且该已有整体检测参数小于第三检测参数阈值,确定目标检测参数阈值为第三检测参数阈值。进一步地,若待检测存储介质为光盘,光盘的rser参数对应的第一检测参数阈值为5.0e-04,光盘的rser参数对应的第二检测参数阈值为7.5e-04,光盘的rser参数对应的第三检测参数阈值为9.5e-04;光盘的besum参数对应的第一检测参数阈值为800,光盘的besum参数对应的第二检测参数阈值为1200,光盘的besum参数对应的第三检测参数阈值为1700。118.在另一实施例中,目标检测参数阈值为该预设检测参数阈值集中与待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数最接近的检测参数阈值,且目标检测参数阈值为预设检测参数阈值集中小于待检测存储介质集在当前检测时刻的已有整体检测参数的检测参数阈值。在该实施例中,待检测存储介质的检测参数越小,则待检测存储介质的使用时间越久,即检测参数随时间推移而减小。119.本发明实施例提供的存储介质检测方法,通过上述方式,更为准确地确定当前待对比的预设检测参数阈值,进而基于第一预测检测参数与该准确的预设检测参数阈值的对比结果,准确确定目标检测时间间隔,以供基于上一检测时刻和该准确的目标检测时间间隔,准确确定下一实际检测时刻,以供基于该准确的下一实际检测时刻对待检测存储介质集进行检测,提高存储介质检测时刻的确定准确性,并实现高准确性的存储介质检测。120.下面对本发明提供的存储介质检测装置进行描述,下文描述的存储介质检测装置与上文描述的存储介质检测方法可相互对应参照。121.图5为本发明提供的存储介质检测装置的结构示意图,如图5所示,该存储介质检测装置,包括:参数确定模块510,用于在当前检测时刻,确定待检测存储介质集在不同已有检测时刻的至少两个已有整体检测参数,所述当前检测时刻为所述待检测存储介质集的第n次检测时刻,所述n大于或等于2,所述待检测存储介质集包括至少一个待检测存储介质,所述已有检测时刻包括所述当前检测时刻,任一所述已有整体检测参数是基于所述至少一个待检测存储介质的至少一个已有检测参数确定的;参数预测模块520,用于基于所述至少两个已有整体检测参数,预测所述待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数;间隔确定模块530,用于基于所述第一预测检测参数与预设检测参数阈值的对比结果,确定目标检测时间间隔;时刻确定模块540,用于基于上一检测时刻和所述目标检测时间间隔,确定下一实际检测时刻,以供基于所述下一实际检测时刻对所述待检测存储介质集进行检测,所述下一实际检测时刻包括所述待检测存储介质集的第n+1次检测时刻;其中,在所述当前检测时刻为所述下一实际检测时刻的情况下,将所述下一实际检测时刻确定为所述上一检测时刻。122.图6示例了一种电子设备的实体结构示意图,如图6所示,该电子设备可以包括:处理器(processor)610、通信接口(communicationsinterface)620、存储器(memory)630和通信总线640,其中,处理器610,通信接口620,存储器630通过通信总线640完成相互间的通信。处理器610可以调用存储器630中的逻辑指令,以执行存储介质检测方法,该方法包括:在当前检测时刻,确定待检测存储介质集在不同已有检测时刻的至少两个已有整体检测参数,所述当前检测时刻为所述待检测存储介质集的第n次检测时刻,所述n大于或等于2,所述待检测存储介质集包括至少一个待检测存储介质,所述已有检测时刻包括所述当前检测时刻,任一所述已有整体检测参数是基于所述至少一个待检测存储介质的至少一个已有检测参数确定的;基于所述至少两个已有整体检测参数,预测所述待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数;基于所述第一预测检测参数与预设检测参数阈值的对比结果,确定目标检测时间间隔;基于上一检测时刻和所述目标检测时间间隔,确定下一实际检测时刻,以供基于所述下一实际检测时刻对所述待检测存储介质集进行检测,所述下一实际检测时刻包括所述待检测存储介质集的第n+1次检测时刻;其中,在所述当前检测时刻为所述下一实际检测时刻的情况下,将所述下一实际检测时刻确定为所述上一检测时刻。123.此外,上述的存储器630中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:u盘、移动硬盘、只读存储器(rom,read-onlymemory)、随机存取存储器(ram,randomaccessmemory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。124.又一方面,本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各方法提供的存储介质检测方法,该方法包括:在当前检测时刻,确定待检测存储介质集在不同已有检测时刻的至少两个已有整体检测参数,所述当前检测时刻为所述待检测存储介质集的第n次检测时刻,所述n大于或等于2,所述待检测存储介质集包括至少一个待检测存储介质,所述已有检测时刻包括所述当前检测时刻,任一所述已有整体检测参数是基于所述至少一个待检测存储介质的至少一个已有检测参数确定的;基于所述至少两个已有整体检测参数,预测所述待检测存储介质集在下一检测时刻的第一预测检测参数;基于所述第一预测检测参数与预设检测参数阈值的对比结果,确定目标检测时间间隔;基于上一检测时刻和所述目标检测时间间隔,确定下一实际检测时刻,以供基于所述下一实际检测时刻对所述待检测存储介质集进行检测,所述下一实际检测时刻包括所述待检测存储介质集的第n+1次检测时刻;其中,在所述当前检测时刻为所述下一实际检测时刻的情况下,将所述下一实际检测时刻确定为所述上一检测时刻。125.以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下,即可以理解并实施。126.通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件。基于这样的理解,上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中,如rom/ram、磁碟、光盘等,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。127.最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。当前第1页12当前第1页12
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