一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置的制作方法

1娱乐游戏属于钽酸锂晶体基片生产技术领域，具体涉及一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置。


背景技术：

2.钽酸锂(lt)晶体具有高的光透射率以及具有高的热释电系数，温度变化会导致晶片表面产生大量静电荷，这些静电荷会在晶片间，尤其是叉指电极间自动释放，达到一定程度会出现钽酸锂晶片开裂和叉指电极烧毁等问题；因为钽酸锂晶片是无色透明的，进行光刻工艺时，会产生漫反射导致电极线条精度降低，将钽酸锂晶片埋在还原剂构成的粉末中，低温热处理并充入氮气带走黑化反应后的反应产物，还原剂为c、si、mg、al、fe、碳酸锂、碳酸镁、碳酸钙等，在晶片周围的还原剂量不同，以及氮气在热处理炉中的分布都会使得黑化的效果和退极化情况有显著差异，影响黑化还原反应的均匀性。
3.如公告号为cn105463581b的中国专利，其公开了一种所述的钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，包括下列步骤：将待黑化处理的钽酸锂晶体基片置入坩埚容器中；向坩埚容器加入氟化物材料，使所述的钽酸锂晶体基片与所述的氟化物充分接触；将装有所述的钽酸锂晶体基片和氟化物材料的坩埚容器放入热处理炉中；所述的热处理炉抽真空至100pa以下，打开流动气体阀门，以0.5～2.5升/分钟的速率充入流动的非氧化气体，并保持所述的热处理炉的压强为+0.005mpa～0.015mpa；
4.但是上述方案存在以下不足：上述专利中的钽酸锂晶体基片的黑化程度与氟化物的覆盖接触面积以及是否及时将黑化反应后的产物及时导出有关系，但是上述专利文件中只是简单的叙述了“使所述的钽酸锂晶体基片与所述的氟化物充分接触”，对于钽酸锂晶体基片的放置来说，简单的将钽酸锂晶体基片插入到氟化物粉末中容易发生偏斜，使相邻钽酸锂晶体基片之间的距离不同以及氟化物的分布量不均匀，如何使布置的钽酸锂晶体基片之间等距稳固放置，从而使相邻钽酸锂晶体基片之间的氟化物覆盖量均匀，并及时将黑化反应后的产物导出，实现黑化还原反应的均匀性是当下需要解决的问题。


技术实现要素：

5娱乐游戏的目的在于提供一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置，以解决上述背景技术中存在的问题。
6.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置，包括热处理炉以及布置在其内部的坩埚体，所述坩埚体内部底端面等距布置有放置盒架并用于对钽酸锂晶体基片的安装，放置盒架上部两侧为弹性部，且所述钽酸锂晶体基片与放置盒架内侧壁之间填充有第一还原剂层，所述弹性部上方前后端均可拆卸设置有限位压板，所述限位压板向下运动时能够使两侧弹性部聚拢并顶推第一还原剂层对钽酸锂晶体基片下部进行初步固定；
7.所述限位压板上方填充有第二还原剂层并用于对钽酸锂晶体基片上部进行覆盖
接触固定，且位于前后端的所述限位压板之间布置有导气板并用于将黑化还原反应产生的气体排出。
8.优选的，所述弹性部侧壁上设有开口部，第一还原剂层延伸至所述开口部外侧。
9.优选的，所述限位压板两侧部均设置有耐热弹片并和坩埚体对应内侧壁接触固定，所述限位压板上布置有限位槽部，所述钽酸锂晶体基片插入至所述限位槽部进行限位，且所述限位槽部后侧表面设置有摩擦块，摩擦块和坩埚体内后壁摩擦接触固定。
10.优选的，所述弹性部外侧壁设置有主弧形块，所述限位压板底端面对应设置有和主弧形块弧形面配合滑动接触的副弧形块，所述限位压板向下运动时会通过副弧形块顶推主弧形块朝向钽酸锂晶体基片方向聚拢。
11.优选的，所述导气板设置在所述钽酸锂晶体基片之间中部位置，且所述导气板两侧壁上均布设有排气斜口。
12.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过下压限位压板使副弧形块推动主弧形块朝钽酸锂晶体基片方向运动，进而使放置盒架上端两侧弹性部顶推第一还原剂层聚拢，而钽酸锂晶体基片还原产生的反应气态物通过排气斜口经导气板排出，使布置的钽酸锂晶体基片之间等距稳固放置，从而使相邻钽酸锂晶体基片之间的氟化物覆盖量均匀，并及时将黑化反应后的产物导出，实现黑化还原反应的均匀性。
附图说明
13.图1为本实用新型的局部结构剖视示意图；
14.图2为图1的坩埚体局部剖视示意图；
15.图3为图2的放置盒架上部弹性部聚拢状态结构示意图；
16.图4为图2的坩埚体对半剖视局部结构示意图；
17.图5图4的限位压板区域放大示意图；
18.图6为图5的限位压板上导气板放置状态结构示意图；
19.图7为图6的放置盒架整体状态结构示意图。
20.图中：1、热处理炉；2、坩埚体；3、放置盒架；4、弹性部；5、第一还原剂层；6、限位压板；7、第二还原剂层；8、导气板；9、开口部；10、耐热弹片；11、限位槽部；12、摩擦块；13、主弧形块；14、副弧形块；15、排气斜口；101、钽酸锂晶体基片；201、真空管；202、进气管；203、加热部。
具体实施方式
21.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
22.请参阅图1-7，本实用新型提供一种技术方案：
23.实施例一：
24.一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置，包括热处理炉1以及布置在其内部的坩埚体2，热处理炉1上分别设置有真空管201、进气管202和加热部203，其中真空管201用于将热处理炉1内部抽真空，而进气管202用于向热处理炉1内均匀排入非氧化气体，例如氮气或者氢气中的任意一种或混合，加热部203为电热丝，使坩埚体2周边处于还原反应适宜温度，坩
埚体2内部底端面等距布置有放置盒架3并用于对钽酸锂晶体基片101的安装，放置盒架3可以通过能够滑移的底座架放置，不做赘述，放置盒架3上部两侧为弹性部4，弹性部4为耐热金属，并不会和还原剂发生反应；能够耐还原反应所需温度，本实施例中的还原反应温度为500℃，且钽酸锂晶体基片101与放置盒架3内侧壁之间填充有第一还原剂层5，第一还原剂层5可以选择lif、caf2、mgf中的任意一种粉末状，弹性部4上方前后端均可拆卸设置有限位压板6，限位压板6靠近坩埚体2内后壁，占据提交较小，同时坩埚体2选择开奖容器，限位压板6向下运动时能够使两侧弹性部4聚拢并顶推第一还原剂层5对钽酸锂晶体基片101下部进行初步固定；
25.限位压板6上方填充有第二还原剂层7并用于对钽酸锂晶体基片101上部进行覆盖接触固定，第一还原剂层5和第二还原剂层7选择材料相同，只是铺设的先后次序不同，且位于前后端的限位压板6之间布置有导气板8并用于将黑化还原反应产生的气体排出。
26.实施例二：
27.在实施例一的基础上进一步说明，弹性部4侧壁上设有开口部9，第一还原剂层5延伸至开口部9外侧，开口部9的设计便于第一还原剂层5进入放置盒架3内部并和钽酸锂晶体基片101插入端覆盖接触。
28.实施例三：
29.在实施例一的基础上进一步说明，限位压板6两侧部均设置有耐热弹片10并和坩埚体2对应内侧壁接触固定，限位压板6水平放入在坩埚体2内部时，位于其两侧的耐热弹片10会和坩埚体2对应内壁弹性接触，从而对限位压板6进行预固定，限位压板6上布置有限位槽部11，限位槽部11为凹陷凸起部构成，钽酸锂晶体基片101插入至限位槽部11进行限位，起到辅助限位作用，且限位槽部11后侧表面设置有摩擦块12，摩擦块12和坩埚体2内后壁摩擦接触固定，实现对限位压板6的辅助固定；
30.弹性部4外侧壁设置有主弧形块13，限位压板6底端面对应设置有和主弧形块13弧形面配合滑动接触的副弧形块14，限位压板6向下运动时会通过副弧形块14顶推主弧形块13朝向钽酸锂晶体基片101方向聚拢，从而对钽酸锂晶体基片101下部进行辅助固定；
31.导气板8设置在钽酸锂晶体基片101之间中部位置，且导气板8两侧壁上均布设有排气斜口15，钽酸锂晶体基片101还原产生的气态产物通过排气斜口15端排出，且排气斜口15进气端位置低于排气端，能够避免第一还原剂层5对排气斜口15造成堵塞。
32.工作原理如下：将钽酸锂晶体基片101预插入到放置盒架3内部，并向放置盒架3内部倒入第一还原剂层5并覆盖至弹性部4上端口区域，第一还原剂层5通过开口部9进入放置盒架3内部并和钽酸锂晶体基片101插入部两侧表面覆盖接触，将对称设置的两个限位压板6插入到坩埚体2内部，使限位压板6底端面的副弧形块14和弹性部4上的主弧形块13弧形面相接触，此时钽酸锂晶体基片101贯穿限位槽部11进行位置限定，再次下压限位压板6使副弧形块14推动主弧形块13朝钽酸锂晶体基片101方向运动，进而使放置盒架3上端两侧弹性部4顶推第一还原剂层5聚拢，受到顶推的第一还原剂层5对钽酸锂晶体基片101插入部进行覆盖接触固定，同时限位压板6在耐热弹片10以及摩擦块12的辅助下进行固定，最后在第一还原剂层5上方覆盖第二还原剂层7，直到将钽酸锂晶体基片101完全覆盖，真空管201通过外置真空泵对热处理炉1进行抽真空处理，加热部203对坩埚体2进行加热，而进气管202向热处理炉1内部注入非氧化气体，保障热处理炉1的压强为+0.005mpa～0.015mpa，而钽酸锂
晶体基片101还原产生的反应气态物通过排气斜口15经导气板8排出，使布置的钽酸锂晶体基片101之间等距稳固放置，从而使相邻钽酸锂晶体基片101之间的氟化物覆盖量均匀，并及时将黑化反应后的产物导出，实现黑化还原反应的均匀性。
33.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。