一种新型导流筒的制作方法

1.本实用新型涉及导流筒领域，更具体地说，涉及一种新型导流筒。


背景技术：

2.导流筒作为单晶炉的一个重要部件，在单晶硅的生产中起到了重要的作用，单晶炉的导流筒对晶体生长有很大影响。使用导流筒可以减少炉体上部的氩气流动涡胞，进而减少si02在单晶炉上部的沉积，从而确保拉制的单晶硅棒具有很高的质量；
3.然而，现有的导流筒对氩气气流的流速没有什么实质性的帮助，进而使得单晶生长固液界面存在着较多的潜热而无法被带走，使得单晶氧含量较多，进而造成单晶硅的质量没有保障，且使得生长的速率也受到一定的限制。


技术实现要素：

4.1.要解决的技术问题
5.针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种新型导流筒，它可以实现提升晶体生长速度，降低晶体中氧含量，保障了晶体的质量。
6.2.技术方案
7.为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。
8.一种新型导流筒，包括导流筒外罩，所述导流筒外罩的底部设置有底部环形罩，所述底部环形罩的外侧固定有多个流道；
9.所述导流筒外罩的外侧安装有导流组件，所述导流组件用于导流气体。
10.进一步的，所述导流组件包括有撑托环，所述撑托环固定于所述导流筒外罩的外侧，所述撑托环的顶部安装有固定环，所述固定环内侧的底部设置有导流环槽，所述导流环槽顶部的两侧均设置有弧形槽，两个所述弧形槽通过一平流道相连接。
11.进一步的，所述撑托环的顶部设置有多个卡紧块，所述固定环的底部设置有与所述卡紧块数量相同且位置对应的卡紧槽。
12.进一步的，所述流道为弧状三角形。
13.进一步的，两个所述弧形槽形状相同且位置对称。
14.进一步的，所述卡紧块的外径小于所述卡紧槽的内径。
15.3.有益效果
16.相比于现有技术，本实用新型的优点在于：
17.本方案在导流筒外罩底部增加流道，可提高气流在导流筒外罩底部流过的速率，降低炉体上部的气流漩涡，减少sio2在热场上部的沉积概率，并且增加的导流流道占据底部一部分空间，阻挡热量传递，降低功耗，同时气流增强带走更多结晶潜热，提升晶体生长速度，降低晶体中氧含量，保障了晶体的质量。
附图说明
18.图1为本实用新型的结构示意图；
19.图2为本实用导流筒外罩、底部环形罩和流道之间的结构示意图；
20.图3为本实用流道的形状图；
21.图4为本实用固定环、导流环槽和撑托环之间的结构示意图；
22.图5为本实用固定环的剖视图；
23.图6为本实用撑托环、卡紧槽和卡紧块之间的结构示意图。
24.图中标号说明：
25.1、导流筒外罩；2、底部环形罩；3、流道；4、固定环；5、导流环槽；6、弧形槽；7、平流道；8、撑托环；9、卡紧块；10、卡紧槽。
具体实施方式
26.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
27.实施例：
28.请参阅图1-6，一种新型导流筒，包括导流筒外罩1，导流筒外罩1的底部设置有底部环形罩2，导流筒外罩1和底部环形罩2为碳材质，底部环形罩2的外侧固定有多个流道3，流道3为弧状三角形，通过此种设置，使得流道3对热流导向的较为方便，在一些特殊的情况下，流道3能够做出形状上的改变，增加底部流道3后，占据的导流筒外罩1与液面之间的空间变小，气流顺着流道3分流输送，增强气流的流速；
29.相同工艺下，原来的导流筒外罩1：
30.引晶功率模拟值为65.2kw/h；
31.相同长度条件下拉速1.71mm/min；
32.而现在增加流道3的导流筒外罩1：
33.引晶功率模拟值为61.3kw/h；
34.相同长度条件下拉速1.79mm/min；
35.由此可见，其优点有用具备一定的可行性；
36.导流筒外罩1的外侧安装有导流组件，导流组件用于导流气体。
37.参阅图4-6，导流组件包括有撑托环8，撑托环8固定于导流筒外罩1的外侧，撑托环8的顶部安装有固定环4，固定环4内侧的底部设置有导流环槽5，导流环槽5顶部的两侧均设置有弧形槽6，两个弧形槽6形状相同且位置对称，使得弧形槽6对热流进行导向，并不会由此产生乱流，两个弧形槽6通过一平流道7相连接，通过固定环4的设置，使得向上移动的热气通过其中一个弧形槽6改变方向，并经过另一个弧形槽6再次改变方向，从而使得热气向下移动，重新回到导流筒外罩1和液面之间。
38.参阅图6，撑托环8的顶部设置有多个卡紧块9，固定环4的底部设置有与卡紧块9数量相同且位置对应的卡紧槽10，卡紧块9的外径小于卡紧槽10的内径，通过此种设置，使得卡紧槽10能够插接在卡紧块9的外侧，通过此种设置，使得撑托环8能够对固定环4进行撑
托，并通过卡紧块9和卡紧槽10的设置，使得固定环4能够卡在撑托环8上，不会随意移动位置。
39.工作原理：在导流筒外罩1底部增加流道3，可提高气流在导流筒外罩1底部流过的速率，降低炉体上部的气流漩涡，减少sio2在热场上部的沉积概率，并且增加的导流流道占据底部一部分空间，阻挡热量传递，降低功耗，同时气流增强带走更多结晶潜热，提升晶体生长速度，降低晶体中氧含量。
40.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式；但本实用新型的保护范围并不局限于此。任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。


技术特征：
1.一种新型导流筒，包括导流筒外罩(1)，其特征在于：所述导流筒外罩(1)的底部设置有底部环形罩(2)，所述底部环形罩(2)的外侧固定有多个流道(3)；所述导流筒外罩(1)的外侧安装有导流组件，所述导流组件用于导流气体。2.根据权利要求1所述的一种新型导流筒，其特征在于：所述导流组件包括有撑托环(8)，所述撑托环(8)固定于所述导流筒外罩(1)的外侧，所述撑托环(8)的顶部安装有固定环(4)，所述固定环(4)内侧的底部设置有导流环槽(5)，所述导流环槽(5)顶部的两侧均设置有弧形槽(6)，两个所述弧形槽(6)通过一平流道(7)相连接。3.根据权利要求2所述的一种新型导流筒，其特征在于：所述撑托环(8)的顶部设置有多个卡紧块(9)，所述固定环(4)的底部设置有与所述卡紧块(9)数量相同且位置对应的卡紧槽(10)。4.根据权利要求1所述的一种新型导流筒，其特征在于：所述流道(3)为弧状三角形。5.根据权利要求2所述的一种新型导流筒，其特征在于：两个所述弧形槽(6)形状相同且位置对称。6.根据权利要求3所述的一种新型导流筒，其特征在于：所述卡紧块(9)的外径小于所述卡紧槽(10)的内径。

技术总结
本实用新型公开了一种新型导流筒，属于导流筒领域，一种新型导流筒，包括导流筒外罩，导流筒外罩的底部设置有底部环形罩，底部环形罩的外侧固定有多个流道，导流筒外罩的外侧安装有导流组件，导流组件用于导流气体，导流组件包括有撑托环，撑托环固定于导流筒外罩的外侧，撑托环的顶部安装有固定环，固定环内侧的底部设置有导流环槽，导流环槽顶部的两侧均设置有弧形槽，两个弧形槽通过一平流道相连接，撑托环的顶部设置有多个卡紧块，固定环的底部设置有与卡紧块数量相同且位置对应的卡紧槽，流道为弧状三角形，两个弧形槽形状相同且位置对称；它可以实现提升晶体生长速度，降低晶体中氧含量，保障了晶体的质量。保障了晶体的质量。保障了晶体的质量。


技术研发人员：杨昊 王保强
受保护的技术使用者：弘元新材料（包头）有限公司
技术研发日：2023.01.06
技术公布日：2023/7/23