一种传感器芯片的封装方法和封装结构与流程

1.本发明涉及芯片封装的技术领域，尤其涉及一种传感器芯片的封装方法和封装结构。


背景技术：

2.目前芯片的封装技术是将传感器芯片贴附在基板表面完成封装。但是采用贴片技术在基板上封装的方法，会因传感器芯片和基板的厚度均有对应的要求，进而导致封装后的产品尺寸厚度过大的问题。
3.所以芯片的封装在厚度上和尺寸上均做到轻薄和小巧，仍是现在的主流问题。


技术实现要素：

4.本发明提供了一种传感器芯片的封装方法和封装结构，以解决传感器芯片封装后的结构整体厚度大大降低，提升适配客户的需求范围。
5.根据本发明的一方面，提供了一种传感器芯片的封装方法，包括：提供基板，所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面；在所述第一表面制备凹槽结构和第一连接结构，所述凹槽结构贯穿部分所述基板；在所述凹槽结构内至少贴附传感器芯片，所述传感器芯片包括芯片衬底以及位于所述芯片衬底一侧的传感结构和连接电极；所述连接电极和所述第一连接结构电连接；在所述基板的第一表面一侧对所述基板和所述传感器芯片进行封装制备封装层；在所述基板的第二表面一侧对所述基板和所述芯片衬底进行减薄，减薄后的所述芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm。
6.根据本发明的另一方面，提供了一种传感器芯片的封装结构，采用第一方面任一项所述的封装方法制备得到，所述封装结构包括：基板减薄结构，所述基板减薄结构包括开口且所述基板减薄结构表面设置有第一连接结构；所述开口贯穿所述基板减薄结构；传感器芯片，位于所述开口内；所述传感器芯片包括芯片衬底、位于所述芯片衬底一侧的传感结构和连接电极；所述连接电极与所述第一连接结构电连接；所述芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm；透光盖板，位于所述传感器芯片一侧，且所述透光盖板与所述传感结构交叠；封装结构，覆盖所述基板减薄结构且至少围绕所述传感器芯片。
7.本发明实施例的传感器芯片的封装方法，包括：首先提供基板；进一步的在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构；再在凹槽结构内至少贴附传感器芯片；再在基板的第一表面一侧对基板和传感器芯片进行封装制备封装层；最后再在基板的第二表面一侧对基板和芯片衬底进行减薄，并且减薄后的芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm。通过上述的封装方法，可以同时将基板和传感器芯片进一步减薄，使得传感器芯片在封装后的整体结构
厚度大大降低，适配客户的需求范围更加广泛。
8.应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
9.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
10.图1是本发明实施例提供的一种传感器芯片的封装方法的流程图；图2是本发明实施例提供的一种传感器芯片的封装过程示意图；图3是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装方法的流程图；图4是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装过程示意图；图5是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装方法的流程图；图6是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装过程示意图；图7是本发明实施例提供的种透光盖板母板的俯视示意图；图8是本发明实施例提供的种传感器晶圆的俯视示意图；图9是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装方法的流程图；图10是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装过程示意图；图11是本发明实施例提供的一种封装结构的示意图；图12是本发明实施例提供的另一种封装结构的示意图。
具体实施方式
11.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
12.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
13.图1是本发明实施例提供的一种传感器芯片的封装方法的流程图，图2是本发明实施例提供的一种传感器芯片的封装过程示意图，本实施例可适用于芯片封装的情况，该方法可以由封装的装置来执行，该封装的装置可以采用硬件和/或软件的形式实现。如图1所示，该方法包括：
s110、提供基板。
14.其中，基板可以是圆形也可以是其他形状，本发明实施例对基板的形状不进行具体限定。进一步的，基板的材质可以是硅、碳化硅等半导体材料或者玻璃类的有机和无机材料，本发明实施例对基板的材质也不进行具体的限定。
15.示例性的，参考图2所示，在图2中的步骤a中，基板100包括第一表面101和第二表面102，其中第一表面101可以认为是基板100的上表面，第二表面102可以认为是基板100的下表面。并且后续在第一表面101处贴合传感器芯片并且进行封装等。
16.s120、在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构。
17.其中，在基板的第一表面制备凹槽结构和第一连接结构，凹槽结构是在基板的第一表面侧进行开槽，用于后续与传感器芯片进行贴合的区域。示例性的，参考图2，在图2中的步骤b中，在基板100的第一表面101处设置凹槽结构103，并且凹槽结构103贯穿部分基板100，保证后续贴合的传感器芯片可以被基板所围绕。
18.进一步的，在基板的第一表面还制备第一连接结构，其中第一连接结构可以认为是打线焊盘，通过设置第一连接结构便于基板与后续贴合的传感器芯片实现电连接。示例性的，参考图2，在图2中的步骤b，在基板100的第一表面101处设置第一连接结构104，第一连接结构104可以是金属连接处或金属焊盘。
19.s130、在凹槽结构内至少贴附传感器芯片。
20.具体的，将传感器芯片贴附在基板的凹槽结构内，即基板的凹槽结构为传感器芯片提供放置空间。示例性的，参考图2，在图2中的步骤c中，凹槽结构103中贴附的结构至少包括传感器芯片200。传感器芯片200包括芯片衬底210、传感结构220和连接电极230，其中传感结构220和连接电极230均置于芯片衬底210远离基板100的一侧，其连接电极230作为传感器芯片200的连接焊盘与第一连接结构104电连接，通过连接电极230和第一连接结构104实现传感器芯片200与基板100的电连接。s140、在基板的第一表面一侧对基板和传感器芯片进行封装制备封装层。
21.进一步的，在基板上贴附传感器芯片后进行封装，即制备封装层，该过程可以称为包封。即通过使用粘结剂等将传感器芯片及其上的透光盖板等进行封装，通过封装层保证整体结构的稳定性和安全性。示例性的，参考图2，在图2中d步骤中，在基板100的第一表面101侧制备封装层300，实现传感器芯片200的封装。进一步的，封装层300是不透光材质的，避免外界光线对传感器芯片200产生干扰。并且封装层300的上表面可以持平或略低于透光盖板的上表面，以免影响传感器芯片200接收光线。其上表面为远离基板100一侧的表面。
22.可选的，采用注塑机进行注塑封装；或者采用点胶灌注工艺进行封装。即封装层的制备具有灵活性。
23.s150、在基板的第二表面一侧对基板和芯片衬底进行减薄。
24.具体的，在基板的第二表面，连同芯片衬底一同进行减薄，即在整体封装后，将基板和传感器芯片进一步减薄，封装后的结构更加稳定，可以加大减薄的力度，使得传感器芯片在封装后的整体结构厚度大大降低，适配客户的需求范围更加广泛。示例性的，参考图2，在图2的步骤e中，通过将基板100和芯片衬底210一同减薄，并且是在将传感器芯片200封装后进行一同减薄，可以保证减薄的过程整体结构的稳定性，避免出现开裂等情况。举例说明，通过本发明实施例提供的传感器芯片的封装方法，最终可以将芯片衬底210减薄至25μm
至150μm，并且包括25μm的情况，相比于传统贴合封装方法制备的衬底芯片在150μm的情况下，体现出本发明制备的整体结构在厚度上具有明显的进步，并且25μm至150μm的跨度也比较大，适配客户的需求范围更加广泛。
25.综上，本发明实施例提供的传感器芯片的封装方法，首先提供基板；进一步的在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构；再在凹槽结构内至少贴附传感器芯片；再在基板的第一表面一侧对基板和传感器芯片进行封装制备封装结构；最后再在基板的第二表面一侧对基板和芯片衬底进行减薄，并且减薄后的芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm。通过上述的封装方法，可以同时将基板和传感器芯片进一步减薄，使得传感器芯片在封装后的整体结构厚度大大降低，适配客户的需求范围更加广泛。
26.在上述实施例的基础上，图3是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装方法的流程图，图4是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装过程示意图。如图3和图4所示，该封装方法可以包括：s210、提供基板。
27.如图3的步骤a所示。
28.s220、在第一表面制备导通孔。
29.如图3的步骤b所示。
30.s230、在导通孔内制备导通结构。
31.如图3的步骤c所示，其中，在基板的第一表面制备导通孔，并且导通孔贯穿部分基板，同时还在导通孔内制备导通结构。通过制备导通孔和导通结构，在整体对基板和芯片衬底减薄后，导通结构在靠近第二表面一侧露出，同时导通结构还与第一连接结构电连接，即可以通过导通结构、第一连接结构和连接电极实现整体的电连接关系。示例性的，参考图3，在图3中b步骤中，在第一表面101上制备导通孔105，在图3中c步骤中，导通结构106用于填充导通孔105，并且导通结构106为金属材质具有导电性。
32.进一步的，为保证整体的电信号的传输稳定性，可以在导通结构周围设置第一绝缘层，避免电信号的短路等情况的产生，保证整体结构的稳定性。示例性的，参考图3的步骤c中，导通结构106周围围绕第一绝缘层510。
33.进一步的，参考图3，在图3的步骤d中，导通结构106靠近第二表面102的端部与第一表面101之间的距离为l1，即导通结构106在对基板100和芯片衬底210进行减薄之前的长度为l1。在图3的步骤g中，减薄后的芯片衬底210靠近原第二表面102的表面与第一表面101之间的距离为l2，同时整体减薄后的导通结构106的底面与减薄后的芯片衬底210的底面共面，所以长度l2可以认为是整体减薄后的导通结构106的长度。示例性的，5μm≤l1-l2≤100μm，即导通结构106或者说导通孔105的深度比整体结构最终减薄厚的深度深了5μm至100μm内任一数值，例如可以是10μm、20μm、50μm、75μm、85μm、95μm和100μm等，优选地可以是50μm。通过x限定l1的长度大于l2，可以保证对基板100和芯片衬底210减薄后可以暴露出导通结构106，进而通过导通结构106实现传感器芯片200与后续焊球等结构之间的电连接关系。同时限定l1和l2之间的差值，保证导通结构106的深度不至于过大，避免导通孔105的深打孔工艺，以及导通结构106的深注入工艺，保证导通孔105和导通结构106的工艺简单，成本得到有效控制。
34.s240、在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构。
35.如图3的步骤d所示。
36.s250、在凹槽结构内至少贴附传感器芯片。
37.如图3的步骤e所示。
38.s260、在基板的第一表面一侧对基板和传感器芯片进行封装制备封装结构。
39.如图3的步骤f所示。
40.s270、在基板的第二表面一侧对基板和芯片衬底进行减薄。如图3的步骤g所示。
41.s280、在第二表面一侧制备第二连接结构和散热结构。
42.具体的，在第二表面制备第二连接结构，通过第二连接结构保证第一表面的传感器芯片通过连接电极、第一连接结构和导通结构将电信号实现基板两侧的传递。示例性的，在图3的步骤h中，在对基板100和芯片衬底210进行减薄后，在远离第一表面101的一侧设置第二绝缘层520，在步骤i中对第二绝缘层520进行刻蚀，将导通结构106和芯片衬底210露出，第二绝缘层520可以避免信号短路，保证传感器芯片200信号的稳定传输。进一步的，再在远离第一表面101的一侧设置金属走线400，通过对金属走线400的再布线设置，形成如图3的步骤j中的第二连接结构420和散热结构410。其中传感器芯片200的电信号通过连接电极230、第一连接结构140、导通结构106和第二连接结构420进行传输。设置的散热结构410与传感器芯片200交叠，即可以保证对传感器芯片200产生的热量进行及时的散热，进而保证传感器芯片200的使用寿命。
43.s290、制备连接焊球。
44.进一步的，在对传感器芯片封装后，在与第二连接结构电连接的位置处设置连接焊球，进而保证传感器芯片的信号输出。示例性的，参考图3的步骤k，连接焊球430与第二连接结构420电连接。
45.综上，本发明实施例提供的传感器芯片的封装方法，在通过设置的导通孔、导通结构和第二连接结构，在保证后续减薄后，整体的电连接关系，并且整体的结构制备的工艺简单，成本低。进一步的，通过制备的散热结构，保证整体的热稳定性，有利于延长其使用寿命。
46.图5是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装方法的流程图，图6是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装过程示意图，图7是本发明实施例提供的种透光盖板母板的俯视示意图，图8是本发明实施例提供的种传感器晶圆的俯视示意图。如图5至图8所示，该封装方法可以包括：s310、提供透光盖板母板。
47.如图6的步骤a所示。具体的，参考图7所示，透光盖板母板600上包括多个透光盖板610，后续通过将透光盖板610与传感器芯片200对应设置，进而保证后续传感器芯片200的封装效果。
48.s320、在透光盖板母板一侧制备挡墙结构。
49.如图6的步骤b所示，在透光盖板母板600上制备多个挡墙结构710，并且相邻的挡墙结构710之间是透光盖板。通过设置挡墙结构710可以保证后续与传感器芯片200对应贴合时，保证传感结构220所需的空间结构。
50.s330、提供传感器晶圆。
51.进一步的，如图6的步骤c所示，提供传感器晶圆20，传感器晶圆20包括晶圆衬底21
以及位于晶圆衬底21一侧的多个传感结构220和连接电极230。其中，传感结构220与之相近的连接电极230和对应位置的晶体衬底21组成传感器芯片200，即晶圆衬底21为多个芯片衬底210的组合，芯片22即为传感器芯片200中的传感结构220。示例性的，参考图8所示，传感器晶圆20包括晶圆衬底21以及在晶圆衬底21上的多个芯片22。图8中传感器晶圆20包括挡墙对应区域710’，在传感器晶圆20与透光盖板母板600通过将挡墙结构710与挡墙对应区域710’进行对应，保证整体的贴合精度。
52.s340、以挡墙结构朝向传感器芯片的方式键合透光盖板母板和传感器晶圆得到第一键合结构。
53.具体的，如图6的步骤d所示，传感器晶圆20与透光盖板母板600对位时，通过挡墙结构710进行对位标记。挡墙结构710朝向传感器芯片200的方式键合透光盖板母板600和传感器晶圆20，并且透光盖板610与传感器芯片200交叠，保证盖板母板600与传感器晶圆20的结合，进而形成第一键合结构。其中，第一键合结构是指包括盖板母板600与传感器晶圆20的整体结构。
54.s350、减薄晶圆衬底。
55.进一步的，如图6的步骤e所示，将晶圆衬底21先进行减薄，进而保证制备的传感器芯片200整体的结构薄型化，在后续对基板100和芯片衬底210进行减薄时，整体的减薄效果更加明显。
56.s360、切割第一键合结构得到多个复合结构。
57.进一步的，如图6的步骤e所示，即沿图中所示的虚线将第一键合结构进行切割，参考图6中步骤f，即所示为将第一键合结构切割后形成的复合结构。实现工艺制备中由整化零，保证制备的均横性。
58.s370、提供基板。
59.s380、在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构。
60.继续参考图4中步骤a至步骤d。
61.s390、在凹槽结构内贴附包括传感器芯片和透光盖板的复合结构。
62.具体的，继续参考图4中步骤e，在凹槽结构103内贴附包括传感器芯片200和透光盖板600的复合结构700。即在凹槽结构103内附的结构不单单只有传感器芯片200，是一个包括传感器芯片200的复合结构700。
63.s3100、在基板的第一表面一侧对基板和传感器芯片进行封装制备封装结构。
64.继续参考图4中步骤a至步骤f。
65.s3110、在基板的第二表面一侧对基板和芯片衬底进行减薄。
66.进一步的，后续可以继续设置第二连接结构、散热结构和连接焊球等，可参考图4中步骤h至步骤k，在此不重复赘述。
67.综上，本发明实施例提供的传感器芯片的封装方法，对贴附在基板凹槽结构中的复合结构进行调控制备，进一步保证传感器芯片整体的薄型化，及其封装效果。
68.图9是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装方法的流程图，图10是本发明实施例提供的另一种传感器芯片的封装过程示意图。如图9和图10所示，该封装方法还包括：s410、提供传感器晶圆。
69.具体的，如图10的步骤a所示，传感器晶圆20包括晶圆衬底21以及位于晶圆衬底21一侧的多个传感结构220和连接电极230。其中，传感结构220与之相近的连接电极230和对应位置的晶体衬底21组成传感器芯片200，即晶圆衬底21为多个芯片衬底210的组合，芯片22即为传感器芯片200中的传感结构220。
70.s420、切割传感器晶圆得到多个传感器芯片。
71.具体的，如图10的步骤b所示，即将传感器晶圆20沿图中虚线进行切割，形成多个独立的传感器芯片200，用于后续贴附在基板100的凹槽结构103中。需要说明的是，在切割传感器晶圆之后，还可以将芯片衬底进行减薄处理，进一步保证整体结构的薄型化设计。
72.s430、提供基板。
73.s440、在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构。
74.继续参考图4中步骤a至步骤d。制备好基板用于后续的工艺中。
75.s450、在凹槽结构内贴附传感器芯片。
76.进一步的，参考图10中步骤c，将传感器芯片200与制备好的基板100进行贴合。具体的在凹槽结构103内仅仅贴附包括传感器芯片200，后续的透光盖板610等结构后续一起制备。即体现凹槽结构103中传感器芯片200的设置灵活性。
77.s460、提供透光盖板母板。
78.参考图10中步骤d。
79.s470、在透光盖板母板一侧制备挡墙结构。
80.参考图10中步骤e。具体的，透光盖板母板600上包括多个透光盖板610，后续将透光盖板610与传感器芯片200对应设置，进而保证后续传感器芯片200的封装效果。进一步的，在透光盖板母板600上制备多个挡墙结构710，并且相邻的挡墙结构710之间是透光盖板610。通过设置挡墙结构710可以保证后续与传感器芯片200对应贴合时，保证传感结构220所需的空间结构。
81.s480、以挡墙结构朝向传感器芯片的方式键合透光盖板母板和传感器芯片得到第二键合结构。
82.具体的，传感器晶圆与透光盖板母板对位时，通过挡墙结构进行对位标记。示例性的，参考图10中步骤f，以挡墙结构710朝向传感器芯片200的方式键合透光盖板母板600和传感器晶圆20，并且透光盖板610与传感器芯片200交叠，保证盖板母板600与传感器晶圆20的结合，进而形成第二键合结构。其中，第二键合结构是指包括盖板母板600与传感器晶圆20的整体结构。
83.s490、切割透光盖板母板。
84.具体的，通过切割透光盖板母板，实现多个透光盖板610逐一与之相对应的传感器芯片200交叠，有利于保证每个传感器芯片200的封装效果。示例性的，参考图10中步骤f和g，即沿图中所示的虚线将透光盖板母板600进行切割，同样可以实现工艺制备中由整化零，保证制备的均横性。进一步的，后续可以继续设置第二连接结构、散热结构和连接焊球等，可参考图4中步骤h至步骤k，在此不重复赘述。
85.s4100、在基板的第一表面一侧对基板和传感器芯片进行封装制备封装结构。
86.继续参考图4中步骤f。
87.s4110、在基板的第二表面一侧对基板和芯片衬底进行减薄。
88.进一步的，后续可以继续设置第二连接结构、散热结构和连接焊球等，可参考图4中步骤h至步骤k，在此不重复赘述。
89.综上，本发明实施例提供的传感器芯片的封装方法，对贴附在基板凹槽结构中的复合结构进行调控制备，进一步保证传感器芯片整体的薄型化，及其封装效果。
90.图11是本发明实施例提供的一种封装结构的示意图，如图11所示，如图11所示，该封装结构10包括：基板减薄结构1，基板减薄结构1包括开口11且基板减薄结构1表面设置有第一连接结构12；开口11贯穿基板减薄结构1。传感器芯片200，位于开口11内；传感器芯片200包括芯片衬底210、位于芯片衬底210一侧的传感结构220和连接电极230；连接电极230与第一连接结构12电连接；芯片衬底210的厚度d满足25μm≤d＜150μm。透光盖板610，位于传感器芯片200一侧，且透光盖板610与传感结构220交叠。封装层300，覆盖基板减薄结构1且至少围绕传感器芯片200。
91.具体的，基板减薄结构1即基板100在减薄后的最终产品形貌。示例性的，基板减薄结构1的材质可以是硅、碳化硅等半导体材料或者玻璃类的有机和无机材料，本发明实施例对基板的材质也不进行具体的限定。在基板100的一侧处设置凹槽结构103，即为减薄后在基板减薄结构1上的开口11，并且开口11贯穿基板减薄结构1。同时，在基板100的第一表面101处设置第一连接结构104，即为在基板减薄结构1处的第一连接结构12，第一连接结构12可以是金属连接处或金属焊盘。
92.进一步的，传感器芯片200包括芯片衬底210、传感结构220和连接电极230，其中传感结构220和连接电极230均置于芯片衬底210远离基板100的一侧，其连接电极230作为传感器芯片200的连接焊盘与第一连接结构104电连接，通过连接电极230和第一连接结构104实现传感器芯片200与基板100的电连接。
93.通过将基板100和芯片衬底210一同减薄，并且是在将传感器芯片200封装后进行一同减薄，可以保证减薄的过程整体结构的稳定性，避免出现开裂等情况。举例说明，通过本发明实施例提供的传感器芯片的封装方法，最终可以将芯片衬底210减薄至25μm至150μm，并且包括25μm的情况，相比于传统贴合封装方法制备的衬底芯片在150μm的情况下，体现出本发明制备的整体结构在厚度上具有明显的进步，并且25μm至150μm的跨度也比较大，适配客户的需求范围更加广泛。
94.在基板减薄结构1上开口11贴附传感器芯片200后进行封装，即制备封装层300，该过程可以称为包封。即通过使用粘结剂等将传感器芯片及其上的透光盖板610等进行封装，通过封装结构保证整体结构的稳定性和安全性。
95.进一步的，图12是本发明实施例提供的另一种封装结构的示意图，参考图12所示，10还包括贯穿基板减薄结构1的导通孔105以及位于导通孔105内的导通结构106；10还包括第二连接结构420、散热结构410和连接焊球430，第二连接结构420分别与导通结构106和连接焊球430电连接，散热结构410与传感器芯片200交叠。
96.其中，在基板减薄结构1的表面制备导通孔105，并且导通孔105贯穿基板减薄结构1。并且在导通孔105内制备导通结构106，导通结构106在另一侧露出。同时导通结构106还与第一连接结构12电连接，即可以通过导通结构106、第一连接结构12和连接电极230实现整体的电连接关系。
97.进一步的，在基板减薄结构1的表面制备导通孔105，导通结构106用于填充导通孔
105，并且导通结构106为金属材质具有导电性。整体来说，在通过设置导通孔105和导通结构106，在保证后续减薄后，整体的电连接关系，并且整体的结构制备的工艺简单，成本低。进一步，封装结构10还包括第二连接结构420和散热结构410。其中传感器芯片200的电信号通过连接电极230、第一连接结构12、导通结构106和第二连接结构420进行传输。设置的散热结构410与传感器芯片200交叠，即可以保证对传感器芯片200产生的热量进行及时的散热，进而保证传感器芯片200的使用寿命。
98.综上，本发明实施例提供的传感器芯片的封装结构，同时将基板和传感器芯片进一步减薄，使得传感器芯片在封装后的整体结构厚度大大降低，适配客户的需求范围更加广泛。
99.上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。