电压转换装置、显示驱动芯片及信号处理装置的制作方法

1.本实用新型涉及电压转换技术领域，特别涉及一种电压转换装置、显示驱动芯片及信号处理装置。


背景技术：

2.电压转换装置为各种显示驱动芯片中经常要使用到的装置，其作用在于接收外部信号并根据外部信号产生更大电压范围内的驱动信号。例如，在现有的一些显示驱动芯片中，需要将现有的处于较小范围内的电压(例如0v至负1.2v)转换为更低范围内的电压(例如0v至负3v)。
3.现有技术提供了一种电压转换装置，通过利用输入电压及其反相信号的高低电位控制用作开关管的mos晶体管的导通与闭合，从而控制输出电压。但是，现有技术中存在的问题是，输出端两侧的mos晶体管在高低电位变换时存在同时导通的情况，其输出电压为两个mos晶体管的分压结果，从而使输出波形产生抖动。现有技术中，为了保证输出电压稳定，电压转换装置中的mos晶体管都不能达到最小的尺寸，即电压转换装置的占用面积因此增加。同时，现有技术中的输出电压波形完全响应于输入电压，缺乏可调节性。


技术实现要素：

4.鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种电压转换装置、显示驱动芯片及信号处理装置。
5.根据本技术的一方面，提供一种电压转换装置，其特征在于，所述电压转换装置包括：控制模块，根据输入电压提供脉冲信号和关联信号，所述输入电压和所述关联信号在非复位阶段具有相反的电位状态，在复位阶段具有相同的电位状态；电压转换模块，与所述控制模块相连，根据所述输入电压与所述关联信号，将输出电压的电压范围由第一电压至第二电压扩展至由所述第一电压至第三电压；钳位模块，分别与所述控制模块和所述电压转换模块相连，其中，所述钳位模块被配置为：在复位阶段内，根据所述脉冲信号将所述电压转换装置的输出电压钳位为所述第三电压。
6.可选地，所述电压转换模块包括：依次串联连接在第一供电端和第二供电端之间的第一晶体管和第二晶体管；以及依次串联连接在所述第一供电端和所述第二供电端之间的第三晶体管和第四晶体管，其中，所述第一晶体管与所述第三晶体管具有第一沟道类型，所述第二晶体管与所述第四晶体管具有与所述第一沟道类型相反的第二沟道类型；所述第一供电端的供电电压高于所述第二供电端的供电电压；所述第四晶体管的栅极与所述第一晶体管和第二晶体管的中间节点相连；所述第三晶体管的栅极与所述第三晶体管和第四晶体管的中间节点相连。
7.可选地，所述钳位模块包括第一开关管和第二开关管。
8.可选地，所述第一供电端具有所述第一电压，所述第二供电端具有所述第三电压，所述输入电压和所述关联信号在高电位状态下具有所述第一电压，在低电位状态下具有小
于所述第一电压且大于所述第三电压的第二电压。
9.可选地，所述第一晶体管和所述第三晶体管的通断分别受控于所述关联信号和所述输入电压；所述第一开关管和所述第二开关管分别与所述第二晶体管和所述第四晶体管并联连接。
10.可选地，所述第一供电端具有所述第三电压，所述第二供电端具有所述第一电压，所述输入电压和所述关联信号在低电位状态下具有所述第一电压，在高电位状态下具有大于所述第一电压且小于所述第三电压的第二电压。
11.可选地，所述第二晶体管和所述第四晶体管的通断分别受控于所述关联信号和所述输入电压；所述第一开关管和所述第二开关管分别与所述第一晶体管和所述第三晶体管并联连接。
12.可选地，所述脉冲信号的脉冲设置在所述复位阶段，从所述复位阶段开始到所述脉冲信号的脉冲开始期间，所述输出电压保持不变。
13.可选地，所述输出电压包括第一输出电压，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的中间节点输出所述第一输出电压。
14.可选地，所述输出电压还包括第二输出电压，所述第三晶体管和所述第四晶体管的中间节点输出所述第二输出电压。
15.可选地，在所述非复位阶段，所述第一输出电压与所述第二输出电压具有相反的电位状态；在所述脉冲信号的脉冲开始到所述复位阶段结束，所述第一输出电压与所述第二输出电压均具有所述第三电压。
16.可选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第一开关管和所述第二开关管具有现有制程工艺允许的最小尺寸。
17.可选地，所述第一沟道类型的晶体管为pmos晶体管，所述第二沟道类型的晶体管为nmos晶体管。
18.可选地，所述第一开关管与所述第二开关管分别为具有第二沟道类型的晶体管，其中，所述脉冲信号的脉冲开始时，所述脉冲信号由低电位上升至高电位。
19.可选地，所述第一开关管与所述第二开关管分别为具有第一沟道类型的晶体管，其中，所述脉冲信号的脉冲开始时，所述脉冲信号由高电位下降至低电位。
20.可选地，所述脉冲信号的周期为所述输入电压的周期的二分之一，和\或所述脉冲信号的脉宽为所述复位阶段的时长的三分之一。
21.可选地，所述复位阶段的开始时刻到脉冲开始的时长与所述脉冲信号的脉宽相等。
22.根据本技术的第二方面，提供一种显示驱动芯片，其特征在于，包括：如上述任意一项所述的电压转换装置；以及外部电路，用于提供所述输入电压电流。
23.根据本技术的第三方面，提供一种信号处理装置，其特征在于，包括如上述的显示驱动芯片。
24.本实用新型提供的电压转换装置及显示驱动芯片，通过输入电压、关联信号、脉冲信号对mos晶体管的控制实现对输出信号的波形控制。具体来说，现有技术中，输入信号为互为反相信号，容易导致在电位高低切换时输出信号由于mos晶体管开关延迟而产生波形抖动。本实用新型的输入电压和关联信号存在交替进行的相同状态和相反状态，即存在复
位状态和非复位状态，在复位状态中，通过脉冲信号将输出信号钳位，同时关闭了对应的mos晶体管；接下来的非复位状态中，输入电压或关联信号控制对应的mos晶体管打开。也就是说，本实用新型的电压转换装置中总是先关闭打开的mos晶体管后再打开另外的mos晶体管，避免了现有技术中mos晶体管同时开启的情况，提高了输出电压的波形稳定性，同时，由于不存在mos晶体管同时开启的情况，也即不存在mos晶体管分压问题，mos晶体管就可以做到现有制程工艺中的最小尺寸，从而减小了电压转换装置所占的面积，有利于集成电路芯片的小型化发展。
25.进一步地，本实用新型的电压转换装置采用脉冲信号实现对于输出电压的控制，应当理解的是，本实用新型对于脉冲信号的大小没有要求，也就是说，本实用新型的电压转换装置能够利用较小的信号实现输出电压的可控输出。
附图说明
26.通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
27.图1示出了根据现有技术的电压转换装置的示意性电路图；
28.图2示出了根据本实用新型实施例的电压转换装置的示意框图；
29.图3示出了根据本实用新型第一实施例的电压转换装置的示意性电路图；
30.图4示出了根据本实用新型第一实施例的输入信号和输出信号的电位高低的示意图；
31.图5示出了根据本实用新型第一实施例的电压转换装置的输入信号、输出信号和控制信号的时序图；
32.图6示出了根据本实用新型第二实施例的电压转换装置的示意性电路图；
33.图7示出了根据本实用新型第二实施例的输入信号和输出信号的电位高低的示意图；
34.图8示出了根据本实用新型第二实施例的电压转换装置的输入信号、输出信号和控制信号的时序图。
具体实施方式
35.以下将参照附图更详细地描述本实用新型的各种实施例。在各个附图中，相同的元件或者模块采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
36.应当理解，在以下的描述中，“电路”可包括单个或多个组合的硬件电路、可编程电路、状态机电路和/或能存储由可编程电路执行的指令的元件。当称元件或电路“连接到”另一元件或称元件或电路“连接在”两个节点之间时，它可以直接耦合或连接到另一元件或者可以存在中间元件，元件之间的连接可以是物理上的、逻辑上的，或者其结合。相反，当称元件“直接耦合到”或“直接连接到”另一元件时，意味着两者不存在中间元件。
37.同时，在本专利说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的组件。本领域普通技术人员应当可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本专利说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异
来作为区分的准则。
38.此外，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或者操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其它变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
39.参阅图1，示出了根据现有技术的电压转换装置的结构示意图，具体来说，现有技术中的电压转换装置包括电压转换电路110和驱动电路120，其中，驱动电路120接收输入电压in并输出其反相信号inb至电压转换电路110；电压转换电路110接收上述in和inb两信号并产生输出电压out1和out2。具体来说，驱动电路120例如可以是反相器inv；电压转换电路110例如包括pmos晶体管tp1和tp2、nmos晶体管tn1和tn2。反相器inv的输入端接收输入电压in并产生其反相电压信号inb；互为反相电压信号的in和inb分别输出至pmos晶体管tp1和tp2的控制端，pmos晶体管tp1和tp2的输入端接收高电位电压vss，输出端分别耦接于第二输出端和第一输出端；nmos晶体管tn1和tn2的控制端分别耦接于第一输出端和第二输出端，输入端接收低电位电压vhv，输出端分别耦接至第二输出端和第一输出端，第一输出端和第二输出端向外输出第一输出电压out1和第二输出电压out2。
40.现有技术中的电压转换装置用于将输入电压(vss～vlv)转换为更低范围的电压信号(vss～vhv)，具体来说，若输入电压in例如为低电位，则其反相信号inb为高电位，in和inb分别控制pmos晶体管tp1导通，tp2关断；高电位电压vss通过tp1输出至第二输出端，同时，由于nmos晶体管tn2的控制端耦接于第二输出端，高电位电压vss打开nmos晶体管tn2，低电位电压vhv通过tn2输出至第一输出端，nmos晶体管tn1对应关断。当in例如为高电位时，pmos晶体管tp1和tp2的导通情况均发生反转，从而使第一输出端输出高电位电压vss，同时tn1打开，使第二输出端输出低电位电压vhv，即输出电压out1和out2的电位高低响应于输入电压in的电位高低，而非按照所需的电位高低输出。
41.上述现有技术的电压转换装置的缺陷还在于，当输入电压in发生高低电位转换时，pmos晶体管和nmos晶体管的反应速度不同，导致mos晶体管tp1与tn1(或tp2与tn2)存在同时打开或关闭的情况。例如in由低电位转换为高电位时，pmos晶体管tp1和tp2的导通状态能够较快地响应，即tp1关断，tp2导通；而nmos晶体管tn1和tn2的导通状态响应于第一输出端和第二输出端的输出电位高低，导通状态的变化速度慢于pmos晶体管tp1和tp2，仍保持原来的导通状态，即tp2和tn2均处于导通状态。此时，例如第二输出端的输出电压大小为tp2和tn2分压的结果。而mos晶体管的电阻大小与其尺寸有关，为了使tp2的阻抗远小于tn2，tp2和tn2的尺寸都不能做到制程上的最小值，同理可知，tp1和tn1也不能设为最小的尺寸。
42.图2示出了根据本实用新型实施例的电压转换装置的示意框图，本实用新型的电压转换装置用于将第一电压vss至第二电压vlv的电压范围扩展至第一电压vss至第三电压vhv。如图所示，本实用新型的电压转换装置包括电压转换模块210、钳位模块220和控制模块230。其中，控制模块230，用于根据输入电压in提供脉冲信号和关联信号inb。与现有技术
不同的是，输入电压in和关联信号inb不是互为反向信号，而是存在交替进行电位相同和电位相反的状态。其中，在非复位阶段，输入电压in和关联信号inb为相反的电位状态；在复位阶段，输入信号in和关联信号inb为相同的电位状态。电压转换模块210用于根据输入电压in及关联信号inb将输出电压的电压范围由vss至vlv转换至vss至vhv。钳位模块220接收脉冲信号，用于在复位阶段内，根据脉冲信号将电压转换装置的输出电压钳位为vhv。
43.图3和图6分别示出本技术第一实施例和第二实施例的示意性电路图，下面结合实施例对本实用新型做进一步描述。
44.图3示出了本实用新型的第一实施例的电压转换装置的结构示意图，如图所示，在本实用新型的电压转换装置中，电压转换模块210包括依次串联连接在第一供电端和第二供电端之间的第一pmos晶体管mpra和第一nmos晶体管mnr；以及依次串联在第一供电端和第二供电端之间的第二pmos晶体管mpla和第二nmos晶体管mnl，其中，第一供电端提供第三电压vhv，第二供电端提供第一电压vss，且第一电压vss的电压值低于第三电压vhv的电压值。
45.进一步地，第一pmos晶体管mpra和第二pmos晶体管mpla的栅极用作控制端，分别接收上述输入电压inb和关联信号in；第一nmos晶体管mnr和第二nmos晶体管mnl的栅极用作控制端，分别与第一pmos晶体管mpra和第一nmos晶体管mnr的中间节点以及第二pmos晶体管mpla和第二nmos晶体管mnl的中间节点相连。
46.在一些实施例中，电压转换模块210还设有第一输出端和第二输出端，分别用于输出第一输出电压out1和第二输出电压out2；第一pmos晶体管mpra和第一nmos晶体管mnr的中间节点作为所述第一输出端输出第一输出电压out1，第二pmos晶体管mpla和第二nmos晶体管mnl的中间节点作为所述第二输出端输出第二输出电压out2。
47.如图3所示，钳位模块220通过设置分别与上述第一pmos晶体管mpra和第二pmos晶体管mpla并联的第三pmos晶体管mprb和第四pmos晶体管mplb以将输出电压信号out1和out2中的至少一个置为高电位。具体来说，当上述输入电压信号in和关联信号inb由反相状态转换至相同的电位状态时(在本实施例中，同为低电位)，上述第一nmos晶体管mnr和第二nmos晶体管mnl均关断，原低电位输出端处于高阻状态而保持低电位输出，当脉冲信号phb打开对应的pmos晶体管时，此输出端与第一供电端耦接而输出高电位信号。
48.本实用新型的电压转换装置用于改变输入电压信号的电位电压大小，如图4所示，输入电压信号in及关联信号inb的高电位大小为第二电压vlv，低电位大小为第一电压vss，输出电压信号out1和out2的高电位大小为第三电压vhv，低电位大小为第一电压vss。在一些实施例中，第三电压vhv是相较于第二电压vlv更高的电压。
49.图5示出了本实用新型的电压转换装置的信号时序图，如图所示，本实用新型的电压转换装置的每个工作周期按照输入信号依次分为第一过渡时段t11、第一反相时段t12、第二过渡时段t13和第二反相时段t14。具体来说，第一过渡时段t11以t0时刻为起始时刻，在t0时刻前，输入电压信号in为低电位vss，关联信号inb为高电位vlv；在t0时刻，关联信号inb变为低电位vlv，控制上述第一nmos晶体管mnr关断，使第一输出端处于高阻状态，即第一输出电压信号out1和第二输出电压信号out2均保持t0时刻前的状态。
50.如图5所示，第一过渡时段t11中还有t1时刻，脉冲信号phb在t1时刻产生下降沿。如前所述，脉冲信号phb分别传输至第三pmos晶体管mprb和第四pmos晶体管mplb的栅极，也
就是说，在t1时刻，第三pmos晶体管mprb和第四pmos晶体管mplb导通，从而将第一输出电压信号out1和第二输出电压信号out2置为高电位vhv；当脉冲结束后，两输出端被置为高阻状态而保持高电位输出。
51.如图5所示，第一反相时段t12以第一过渡时段t11的结束时刻t2时刻为起始时刻，输入电压信号in在t2时刻变为高电位vlv，使上述第二nmos晶体管mnl导通，从而将第二输出电压信号out2置为低电位，同时，由于out2还输出至第一pmos晶体管mpra的栅极，使第一pmos晶体管mpra在t2时刻导通，使第一供电端vhv连接至第一输出端，即在t12时段，out1为高电位输出vhv，out2为低电位vss输出。
52.如图5所示，第二过渡时段t13以t3时刻为起始时刻，输入电压信号in在t3时刻变为低电位，即in和inb同时为低电位vss，两nmos晶体管mnl和mnr关断，第二输出端被置为高阻状态，保持低电位vss输出；同时使第一输出端保持高电位vhv输出。
53.如图5所示，脉冲信号phb在第二过渡时段t13中的t4时刻产生下降沿，再次打开第三pmos晶体管mprb和第四pmos晶体管mplb，将out1和out2置为高电位vhv；当脉冲结束后，第一输出端和第二输出端均被置为高阻状态而保持高电位输出。
54.如图5所示，在t5时刻，关联信号inb变为高电位，从而打开第一nmos晶体管mnr，将out1置为低电位vss，低电位的out1打开第二pmos晶体管mpra，使第二输出端与第一供电端vhv连接，使out2保持高电位输出。应当理解的是，此时的输入电压信号in、关联信号inb、脉冲信号phb、输出电压信号out1和out2的电位状态与t0时刻相同，即t11、t12、t13和t14构成了本实用新型的电压转换装置的一个完整的工作周期。
55.应当理解的是，本实用新型不对脉冲信号phb的电压值做出限定，也就是说，脉冲信号phb能控制第三pmos晶体管mprb和第四pmos晶体管mplb的开关状态即可。在另一些实施例中，脉冲信号phb还可以是例如与上述实施例中的脉冲信号phb互为反相的信号，其对应的晶体管为nmos晶体管。在优选的实施例中，脉冲信号phb的高电位大小为第三电压vhv，低电位大小为第一电压vss。
56.在本实用新型的一些实施例中，上述第一过渡时段t11与第二过渡时段t13的时长相等，第一反相时段t12和第二反相时段t14的时长相等。优选地，在上述实施例中，脉冲信号phb的周期为本实用新型的电压转换装置的工作周期的二分之一。
57.在本实用新型的一些实施例中，脉冲信号phb的脉宽为t11的三分之一，进一步地，脉冲信号phb的脉宽与t0时刻至t1时刻之间的时长相等。
58.图6示出了本实用新型的第二实施例的电压转换装置的示意性电路图，如图所示，在本实施例中，电压转换模块210包括依次串联连接在第一供电端和第二供电端之间的第一pmos晶体管mpr和第一nmos晶体管mnra；以及依次串联在第一供电端和第二供电端之间的第二pmos晶体管mpl和第二nmos晶体管mnla，其中，第一供电端提供第一电压vss，第二供电端提供第三电压vhv，且第一电压vss的电压值大于第三电压vhv的电压值。
59.进一步地，第一pmos晶体管mpr和第二pmos晶体管mpl的栅极用作控制端，分别接收上述输入电压inb和关联信号in；第一nmos晶体管mnra和第二nmos晶体管mnla的栅极用作控制端，分别与第一pmos晶体管mpr和第一nmos晶体管mnra的中间节点以及第二pmos晶体管mpl和第二nmos晶体管mnla的中间节点相连。
60.在一些实施例中，电压转换模块210还设有第一输出端和第二输出端，分别用于输
出第一输出电压out1和第二输出电压out2；第一pmos晶体管mpr和第一nmos晶体管mnra的中间节点作为所述第一输出端输出第一输出电压out1，第二pmos晶体管mpl和第二nmos晶体管mnla的中间节点作为所述第二输出端输出第二输出电压out2。
61.如图6所示，钳位模块220通过设置分别与上述第一nmos晶体管mnra和第二nmos晶体管mnla并联的第三nmos晶体管mnrb和第四nmos晶体管mnlb以将输出电压out1和out2中的至少一个置为低电位。具体来说，当上述输入电压in和关联信号inb由反相状态转换至相同电位状态时(在本实施例中，同为高电平)，上述第一pmos晶体管mpr和第二pmos晶体管mpl均关断，原高电位输出端处于高阻状态而保持高电位输出，当脉冲信号pl打开对应的nmos晶体管时，此输出端与第二供电端耦接而输出低电位信号vhv。
62.本实用新型的电压转换装置用于改变输入电压的电位电压大小，如图7所示，输入电压in及关联信号inb的高电位大小为第一电压vss，低电位大小为第二电压vlv，输出电压out1和out2的低电位大小为第三电压vhv，高电位大小为第一电压vss。在一些实施例中，第三电压vhv是相较于第二电压vlv更低的电压。
63.图8示出了本实施例的信号时序图，如图所示，本实施例的电压转换装置的每个工作周期按照输入信号依次分为第一过渡时段t11、第一反相时段t12、第二过渡时段t13和第二反相时段t14。具体来说，第一过渡时段t11以t0时刻为起始时刻，在t0时刻前，输入电压in为低电位vlv，关联信号inb为高电位vss；在t0时刻，输入电压in变为高电位vss，控制上述第二pmos晶体管mpl关断，使第二输出端处于高阻状态，即第一输出电压out1和第二输出电压out2均保持t0时刻前的状态。
64.如图8所示，第一过渡时段t11中还有t1时刻，脉冲信号pl在t1时刻产生上升沿。如前所述，脉冲信号pl分别传输至第三nmos晶体管mnrb和第四nmos晶体管mnlb的栅极，也就是说，在t1时刻，第三nmos晶体管mnrb和第四nmos晶体管mnlb导通，从而将第一输出电压out1和第二输出电压out2置为低电位vhv；当脉冲结束后，两输出端被置为高阻状态而保持低电位vhv输出。
65.如图8所示，第一反相时段t12以第一过渡时段t11的结束时刻t2时刻为起始时刻，关联信号inb在t2时刻变为低电位vlv，使上述第一pmos晶体管mpr导通，从而将第一输出电压out1置为高电位vss，同时，由于out1还输出至第二nmos晶体管mnla的栅极，使第二nmos晶体管mnla在t2时刻导通，使第二供电端vhv连接至第二输出端，即在t12时段，out2为低电位vhv输出，out1为高电位vss输出。
66.如图8所示，第二过渡时段t13以t3时刻为起始时刻，关联信号inb在t3时刻变为高电位vss，即in和inb同时为高电位vss，pmos晶体管mpl和mpr关断，第一输出端被置为高阻状态，保持高电位vss输出；同时使第二输出端保持低电位vhv输出。
67.如图8所示，脉冲信号pl在第二过渡时段t13中的t4时刻产生上升沿，再次打开第三nmos晶体管mnrb和第四nmos晶体管mnlb，将out1和out2置为低电位vhv；当脉冲结束后，第一输出端和第二输出端均被置为高阻状态而保持低电位vhv输出。
68.如图8所示，在t5时刻，输入电压in变为低电位vlv，从而打开第二pmos晶体管mpl，将out2置为高电位vss，高电位的out2打开第一nmos晶体管mnra，使第一输出端与第二供电端vhv连接，使out1保持低电位vhv输出。应当理解的是，此时的输入电压in、关联信号inb、脉冲信号pl、输出电压out1和out2的电位状态与t0时刻相同，即t11、t12、t13和t14构成了
本实用新型的电压转换装置的一个完整的工作周期。
69.应当理解的是，本实用新型不对脉冲信号pl的电压值做出限定，也就是说，脉冲信号pl能控制第三nmos晶体管mnrb和第四nmos晶体管mnlb的开关状态即可。在另一些实施例中，脉冲信号pl还可以是例如与上述实施例中的脉冲信号pl互为反相的信号，其对应的晶体管为pmos晶体管。在优选的实施例中，脉冲信号pl的高电位大小为第一电压vss，低电位大小为第三电压vhv。
70.在一些实施例中，上述第一过渡时段t11与第二过渡时段t13的时长相等，第一反相时段t12和第二反相时段t14的时长相等。优选地，在上述实施例中，脉冲信号pl的周期为本实用新型的电压转换装置的工作周期的二分之一。
71.在一些实施例中，脉冲信号pl的脉宽为t11的三分之一，进一步地，脉冲信号pl的脉宽与t0时刻至t1时刻之间的时长相等。
72.综上，本实用新型提供的电压转换装置通过改变输入信号的波形并设置控制信号和对应的mos晶体管实现对输出信号的波形控制。本实用新型的输入电压和关联信号存在交替进行的复位状态和非复位状态，在复位状态中，通过脉冲信号将输出信号钳位，同时关闭了对应的mos晶体管；接下来的非复位状态中，输入电压或关联信号控制对应的mos晶体管打开。也就是说，本实用新型的电压转换装置中总是先关闭打开的mos晶体管后再打开另外的mos晶体管，避免了现有技术中mos晶体管同时开启的情况，提高了输出电压的波形稳定性，同时，由于不存在mos晶体管同时开启的情况，也即不存在mos晶体管分压问题，mos晶体管就可以做到现有制程工艺中的最小尺寸，从而减小了电压转换装置所占的面积，有利于集成电路芯片的小型化发展。
73.进一步地，本实用新型的电压转换装置采用脉冲信号实现对于输出电压的控制，应当理解的是，本实用新型对于脉冲信号的大小没有要求，也就是说，本实用新型的电压转换装置能够利用较小的信号实现输出电压的可控输出。
74.本实用新型还提供了一种显示驱动芯片和信号处理装置，上述电压转换装置设置于上述显示驱动芯片中，上述显示驱动芯片可以应用于触控驱动或显示驱动等功能。上述信号处理装置包括上述显示驱动芯片，具体来说，信号处理装置可以是智能电视、智能手机、智能手表、平板电脑、电脑、笔记本电脑、一体式电脑、工业电脑、伺服器、金融交易装置、车载电脑中的任意一种。由于其与上述电压转换装置具有相同的有益效果，在此不再赘述。
75.应当说明，本领域普通技术人员可以理解，本文中使用的与电路运行相关的词语“期间”、“当”和“当
……
时”不是表示在启动动作开始时立即发生的动作的严格术语，而是在其与启动动作所发起的反应动作(reaction)之间可能存在一些小的但是合理的一个或多个延迟，例如各种传输延迟等。本文中使用词语“大约”或者“基本上”意指要素值(element)具有预期接近所声明的值或位置的参数。然而，如本领域所周知的，总是存在微小的偏差使得该值或位置难以严格为所声明的值。本领域已恰当的确定了，至少百分之十(10％)的偏差是偏离所描述的准确的理想目标的合理偏差。当结合信号状态使用时，信号的实际电压值或逻辑状态(例如“1”或“0”)取决于使用正逻辑还是负逻辑。
76.依照本实用新型的实施例如上文，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使
所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型的保护范围应当以本实用新型权利要求及其等效物所界定的范围为准。